一种经过边缘修形的表面凸起织构及其加工方法

    公开(公告)号:CN104057366A

    公开(公告)日:2014-09-24

    申请号:CN201410248068.1

    申请日:2014-06-06

    Applicant: 上海大学

    CPC classification number: B24B29/00 C25F3/16

    Abstract: 本发明涉及一种经过边缘修形的表面凸起织构,在表面织构有效接触区内凸起的数量不少于3个,凸起直径不小于50微米,凸起高度不低于20微米,凸起面积占比不小于30%;通过修形使凸起边缘呈连续曲面变化,即凸起上表面与侧面以较为平缓的曲面相连接,不存在尖锐的边缘。本方法步骤为:选取基材,制作凸起,边缘修形并清洗。本发明利用弹性衬垫上机械抛光的塌边现象和电化学抛光对尖锐突起部分刻蚀速度快的作用,对表面织构边缘进行圆滑处理,将表面织构相交面间的直角变成圆滑曲线,形成圆滑过渡,从而减小边缘效应并引入楔形接触,提供一种通过边缘修形来实现储存润滑液、收集杂质和磨粒的同时,达到更好的降摩减磨效果。

    一种经过边缘修形的表面凹坑织构及其加工方法

    公开(公告)号:CN104044016A

    公开(公告)日:2014-09-17

    申请号:CN201410248161.2

    申请日:2014-06-06

    Applicant: 上海大学

    CPC classification number: B24B1/00 C25F3/16

    Abstract: 本发明涉及一种经过边缘修形的表面凹坑织构及其加工方法。在表面织构有效接触区内凹坑的数量不少于3个,凹坑直径不小于30微米,凹坑深度不低于10微米,凹坑面积占比为5%~30%;通过边缘修形使凹坑边缘呈连续曲面变化,即凹坑内外以较为平缓的曲面相连接,不存在尖锐的边缘。本方法步骤为:选取基材,制作凹坑,边缘修形并清洗。经过边缘修形的表面织构可降低织构表面对对偶的攻击性,适用于点接触、线接触、面接触及干摩擦、边界润滑等多种工况条件,润滑状态下在实现储存润滑液、收集杂质和磨粒功能的同时,由于修形后接触区域内凹坑边缘为楔形接触,可促进润滑膜的形成,降低摩擦磨损。

    一种经过边缘修形的表面凹坑织构及其加工方法

    公开(公告)号:CN104044016B

    公开(公告)日:2018-03-06

    申请号:CN201410248161.2

    申请日:2014-06-06

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明涉及一种经过边缘修形的表面凹坑织构及其加工方法。在表面织构有效接触区内凹坑的数量不少于3个,凹坑直径不小于30微米,凹坑深度不低于10微米,凹坑面积占比为5%~30%;通过边缘修形使凹坑边缘呈连续曲面变化,即凹坑内外以较为平缓的曲面相连接,不存在尖锐的边缘。本方法步骤为:选取基材,制作凹坑,边缘修形并清洗。经过边缘修形的表面织构可降低织构表面对对偶的攻击性,适用于点接触、线接触、面接触及干摩擦、边界润滑等多种工况条件,润滑状态下在实现储存润滑液、收集杂质和磨粒功能的同时,由于修形后接触区域内凹坑边缘为楔形接触,可促进润滑膜的形成,降低摩擦磨损。

    一种封装结构及封装方法

    公开(公告)号:CN106997873A

    公开(公告)日:2017-08-01

    申请号:CN201610952570.X

    申请日:2016-10-27

    Abstract: 本发明提供一种封装结构及封装方法,所述封装结构包括散热基板及结合于所述散热基板上表面的芯片,其中:所述散热基板上表面与所述芯片底面之间形成有一石墨烯导电散热薄膜。本发明的封装方法采用化学气相沉积法在散热基板上沉积具有良好导电、热扩散、热辐射能力的石墨烯导电散热薄膜,可以在不影响MPS电学特性的情况下,大幅提高器件的散热能力,降低器件热阻与结温。同时,借助于石墨烯优异的表面热辐射性能,可进一步提高器件的散热性能。本发明的封装结构及封装方法不仅适用于采用铜基体的MPS二极管,而且可以适用于其他类型的需要快速散热的芯片,并适用于基板需要导电乃至需要高度透明的场合,具有广泛的工业前景。

    基于红外热像仪的红外辐射薄膜透过率的测量方法

    公开(公告)号:CN106501305A

    公开(公告)日:2017-03-15

    申请号:CN201610908299.X

    申请日:2016-10-18

    CPC classification number: G01N25/20

    Abstract: 本发明提供一种基于红外热像仪的红外辐射薄膜透过率的测量方法,至少包括:提供一覆盖有红外辐射薄膜的散热基板;在相同的室内环境下,分别获取所述散热基板在不同表面温度时的两组出射度数据;其中,每组所述出射度数据至少包括总红外辐射出射度,所述红外辐射薄膜的辐射出射度、周围环境对所述红外辐射薄膜表面的反射出射度,以及所述散热基板发出的透过所述红外辐射薄膜的辐射出射度;利用两组所述出射度数据,计算所述红外辐射薄膜的透过率。本发明可以测量红外辐射薄膜的发射率和散热基板的辐射能量透过红外辐射薄膜的透过率,进而可以有针对性地设计更好的红外辐射薄膜,增强功率器件的散热效率,降低芯片的结温。

    一种低温制备石墨烯薄膜的方法

    公开(公告)号:CN103407988A

    公开(公告)日:2013-11-27

    申请号:CN201310060733.X

    申请日:2013-02-27

    Applicant: 上海大学

    Abstract: 本发明公开了一种低温制备石墨烯薄膜的方法。该方法包括如下步骤:1)金属基底上制备类金刚石(DLC)薄膜;2)在非氧化气氛中,一定温度下处理步骤1)所得覆有DLC薄膜的金属基底,DLC薄膜石墨化并在金属催化作用下形成石墨烯。该方法创新性的使用DLC作为石墨烯生长的前驱体,降低了石墨烯的制备温度,并可以通过在DLC制备过程中采用掩模板轻松实现石墨烯薄膜的图形化制备。

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