公开(公告)号：CN103904186A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201410121150.8

申请日：2014-03-28

Applicant: 上海大学

Inventor： 杨连乔 ,  冯伟 ,  王浪 ,  张建华

IPC: H01L33/42 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/005 ,  H01L33/38 ,  H01L2933/0016

Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯电极的半导体器件，依次由衬底层、第一半导体层、有源层、第二半导体层和石墨烯电极层结合形成，采用加强电极通过钉扎固定结合方式将石墨烯电极层固定结合在第二半导体层上，使加强电极的材料和石墨烯电极层的石墨烯材料相互结合形成复合电极。本发明还公开了一种半导体器件的制备方法，采用石墨烯薄膜与协同导电材料构成复合电极，并置于依次由衬底、导体层、有源层和半导体层形成体系之上，组成完整的器件结构。本发明使石墨烯电极形成钉扎固定连接的复合结构，提高了石墨烯和衬底间的粘附性，并可通过对石墨烯电极层的图案化的控制，改善器件中的电流分布。

公开(公告)号：CN103407988A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201310060733.X

申请日：2013-02-27

Applicant: 上海大学

Inventor： 杨连乔 ,  王浪 ,  吴行阳 ,  张建华 ,  陈伟

IPC: C01B31/04

Abstract: 本发明公开了一种低温制备石墨烯薄膜的方法。该方法包括如下步骤：1)金属基底上制备类金刚石（DLC）薄膜；2)在非氧化气氛中，一定温度下处理步骤1)所得覆有DLC薄膜的金属基底，DLC薄膜石墨化并在金属催化作用下形成石墨烯。该方法创新性的使用DLC作为石墨烯生长的前驱体，降低了石墨烯的制备温度，并可以通过在DLC制备过程中采用掩模板轻松实现石墨烯薄膜的图形化制备。

公开(公告)号：CN103165797A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201310079279.2

申请日：2013-03-13

Applicant: 上海大学

Inventor： 杨连乔 ,  王浪 ,  陈伟 ,  张建华

IPC: H01L33/50

CPC classification number: H01L2224/16245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种白光LED薄膜封装用荧光粉预制薄膜及其制备方法。该薄膜的成分为荧光粉和粘结剂，粘结剂为硅胶或者环氧树脂。采用丝网印刷法将其涂覆在模具上形成一层薄膜，然后在50-200oC下固化5-100分钟，制得未完全固化但具有一定刚度的薄膜。薄膜通过定位，压合，及二次固化实现白色LED器件及模块的封装。该方法可可解决相同批次及不同批次之间出光一致性的问题；避免围堰材料的使用，减少了围堰工艺流程，降低了成本；由于预制荧光膜为半固化膜，具有一定可塑性，有效的避免了预制膜对键合金线的损伤；并作为倒装、垂直结构及平面结构白色LED的最后一步封装流程，使用范围较广；由于采用了薄膜封装，减小了器件及模块的3D尺寸，可大幅提高集成封装的密度。

公开(公告)号：CN103165797B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201310079279.2

申请日：2013-03-13

Applicant: 上海大学

Inventor： 杨连乔 ,  王浪 ,  陈伟 ,  张建华

IPC: H01L33/50

CPC classification number: H01L2224/16245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种白光LED薄膜封装用荧光粉预制薄膜及其制备方法。该薄膜的成分为荧光粉和粘结剂，粘结剂为硅胶或者环氧树脂。采用丝网印刷法将其涂覆在模具上形成一层薄膜，然后在50-200oC下固化5-100分钟，制得未完全固化但具有一定刚度的薄膜。薄膜通过定位，压合，及二次固化实现白色LED器件及模块的封装。该方法可可解决相同批次及不同批次之间出光一致性的问题；避免围堰材料的使用，减少了围堰工艺流程，降低了成本；由于预制荧光膜为半固化膜，具有一定可塑性，有效的避免了预制膜对键合金线的损伤；并作为倒装、垂直结构及平面结构白色LED的最后一步封装流程，使用范围较广；由于采用了薄膜封装，减小了器件及模块的3D尺寸，可大幅提高集成封装的密度。

公开(公告)号：CN103265018B

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201310190000.8

申请日：2013-05-21

Applicant: 上海大学

Inventor： 王浪 ,  杨连乔 ,  张建华 ,  陈伟

IPC: C01B31/04

Abstract: 本发明公开了一种结合金属催化剂，直接在绝缘衬底上生长石墨烯的方法，其属于石墨烯材料制备技术领域。该技术解决了石墨烯薄膜在催化剂的基底转移过程中，往往会损伤，影响其性能等问题。本发明在绝缘基底上由催化剂诱导直接制备大面积石墨烯技术，其包括如下步骤：A，制备绝缘衬底/含碳聚合物/金属催化剂的一种结合体；B，在非氧化气氛中，高温处理上述所得结合体，使含碳聚合物（2）分解得到与绝缘衬底（1）直接接触的石墨烯；C，刻蚀金属催化剂（3），制备了所述石墨烯。该方法使含碳聚合物（2）为碳源和粘附剂，置于金属与绝缘衬底间，使石墨烯直接与绝缘衬底接触，避免了转移损伤，可直接用于器件制备和透明电极等应用。

公开(公告)号：CN103265018A

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN201310190000.8

申请日：2013-05-21

Applicant: 上海大学

Inventor： 王浪 ,  杨连乔 ,  张建华 ,  陈伟

IPC: C01B31/04

Abstract: 本发明公开了一种结合金属催化剂，直接在绝缘衬底上生长石墨烯的方法，其属于石墨烯材料制备技术领域。该技术解决了石墨烯薄膜在催化剂的基底转移过程中，往往会损伤，影响其性能等问题。本发明在绝缘基底上由催化剂诱导直接制备大面积石墨烯技术，其包括如下步骤：A.制备绝缘衬底/含碳聚合物/金属催化剂的一种结合体；B.在非氧化气氛中，高温处理上述所得结合体，使含碳聚合物（2）分解得到与绝缘衬底（1）直接接触的石墨烯；C.刻蚀金属催化剂（3），制备了所述石墨烯。该方法使含碳聚合物（2）为碳源和粘附剂，置于金属与绝缘衬底间，使石墨烯直接与绝缘衬底接触，避免了转移损伤，可直接用于器件制备和透明电极等应用。