公开(公告)号：CN105845771A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610277282.9

申请日：2016-05-01

Applicant: 上海大学

Inventor： 高彦峰 ,  丁卓翰 ,  万冬云

IPC: H01L31/09 ,  H01L31/18 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/24 ,  C23C14/28 ,  C23C20/08

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/09 ,  C23C14/08 ,  C23C14/081 ,  C23C14/083 ,  C23C14/086 ,  C23C14/24 ,  C23C14/28 ,  C23C14/35 ,  C23C20/08

Abstract: 本发明公开了一种缓冲层诱导生长的高性能的VO2热敏薄膜，包括：衬底层，所述衬底为普通玻璃、石英玻璃等；缓冲层，所述缓冲层成分为TiO2、Al2O3、CeO2、ZrO2、ZnO、SnO2或MgO中的一种，所述VO2热敏薄膜为缓冲层诱导生长的二氧化钒热敏薄膜，所述缓冲层厚度为25 nm～250 nm；所述缓冲层诱导生长的二氧化钒薄膜厚度为25 nm～250 nm；方块电阻为10 kΩ/□～60 kΩ/□；电阻温度系数为?3%/K～?5%/K。本发明还提供了上述热敏薄膜的制备方法，其步骤：在衬底上采用化学沉积方法或物理沉积方法制备一个具有锐钛矿结构的TiO2缓冲层，及在该缓冲层上利用该缓冲层诱导生长的二氧化钒热敏薄膜。该方法操作简单，成本低；且该二氧化钒VO2薄膜具有薄膜电阻值合适、电阻温度系数（TCR）高的特点。