公开(公告)号：CN113764410A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202010501168.6

申请日：2020-06-04

Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司

Inventor： 李卿 ,  刘红霞 ,  曹鹏辉 ,  黄高中 ,  徐烈伟 ,  俞军

IPC: H01L27/092 ,  H01L23/528 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体单元器件，包括：电源区、PMOS管、NMOS管、接地区、输出端、金属连接层，金属连接层包括第一金属互连线及第二金属互连线，其中，PMOS管的源极与电源区耦接，栅极与第一金属互连线耦接；NMOS管的源极与接地区耦接，栅极与第一金属互连线耦接；输出端与第二金属互连线耦接；第一金属互连线上设置有可配置的第一通孔结构，以将第一金属互连线连接于选定的第一对象；第二金属互连线上设置有可配置的第二通孔结构，以将第二金属互连线连接于选定的第二对象，以使得第二对象与输出端导通。上述方案，在流片后需要更改半导体单元器件的输出逻辑时，无需进行ECO绕线，既可以实现半导体单元器件的输出逻辑的更改，故，可以降低ECO成本。

公开(公告)号：CN113764410B

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202010501168.6

申请日：2020-06-04

Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司

Inventor： 李卿 ,  刘红霞 ,  曹鹏辉 ,  黄高中 ,  徐烈伟 ,  俞军

IPC: H01L27/092 ,  H01L23/528 ,  H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体单元器件，包括：电源区、PMOS管、NMOS管、接地区、输出端、金属连接层，金属连接层包括第一金属互连线及第二金属互连线，其中，PMOS管的源极与电源区耦接，栅极与第一金属互连线耦接；NMOS管的源极与接地区耦接，栅极与第一金属互连线耦接；输出端与第二金属互连线耦接；第一金属互连线上设置有可配置的第一通孔结构，以将第一金属互连线连接于选定的第一对象；第二金属互连线上设置有可配置的第二通孔结构，以将第二金属互连线连接于选定的第二对象，以使得第二对象与输出端导通。上述方案，在流片后需要更改半导体单元器件的输出逻辑时，无需进行ECO绕线，既可以实现半导体单元器件的输出逻辑的更改，故，可以降低ECO成本。