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公开(公告)号：CN111630955B
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN200910122096.8
申请日：2009-07-14
Applicant: 上海复旦微电子集团股份有限公司
IPC: H01L21/8238
Abstract: 本发明提出一种可以在抗辐射版图加固技术中应用的变异栅晶体管。包括在源端和源端边缘之间、漏端和漏端边缘之间插入栅氧，从而切断源端到源端边缘的通路和切断从源端到源端边缘到漏端边缘到漏端的电流，同时切断从漏端到漏端边缘到源端边缘到源端的电流。采用此方法，晶体管的基本结构不改变，很好地消除了边缘漏电流情况，与普通栅晶体管相比，对于同一有效宽长比，变异栅晶体管并没有增加面积，有效宽长比基本与普通栅一致，源区和漏区是完全对称。
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