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公开(公告)号：CN118536438A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410623143.1
申请日：2024-05-20
Applicant: 上海华虹集成电路有限责任公司
IPC: G06F30/33 , G06F11/263 , G06F11/273
Abstract: 本发明公开了一种ADC数字控制器验证系统，包括：FPGA和ADC模拟器；ADC模拟器，采用主控MCU模拟实现ADC_IP所有功能，包括解析ADC数字控制器控制时序，根据ADC数字控制器提供的时钟转换周期以及通道号对相应通道进行模拟电压采集，通过通信接口向ADC数字控制器发送数据；FPGA，其具有ADC数字控制器接收数据自动检查应用程序；ADC数字控制器，其根据ADC转换模式设定控制时序控制转换通道更新，向ADC模拟器提供时钟，选择待转换通道并发送SOC信号启动ADC模拟器电压采集，根据ADC模拟器EOC指示信号读取当前通道的转换数据。
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公开(公告)号：CN115912902A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202310014332.4
申请日：2023-01-05
Applicant: 上海华虹集成电路有限责任公司 , 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: H02M3/07 , H03K17/687
Abstract: 本发明属于模拟集成电路设计领域，公开了一种交叉耦合电荷泵的衬底选择电路，包括开关对管电路、衬底选择电路、和输入时钟。输入时钟与开关对管电路连接，用于提供第一时钟信号和第二时钟信号。开关对管电路包含开关NMOS对管和开关PMOS对管，衬底选择电路与开关PMOS对管的衬底连接，用于将开关PMOS对管的衬底电位置为电路中最高的电位，提升开关PMOS对管阈值电压。本发明通过对交叉耦合电荷泵中开关PMOS对管衬底电位的置高，有效提高了交叉耦合电荷泵的效率及可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114545195A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210025436.0
申请日：2022-01-11
Applicant: 上海华虹集成电路有限责任公司 , 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: G01R31/28
Abstract: 本发明涉及芯片安全设计技术领域，公开了一种防拆检测方法及电路，包括检测配置单元、边沿检测单元和电平检测单元。检测配置单元可配置检测开关、检测模式、滤波次数、采样频率；边沿检测单元实现上升沿和下降沿检测电路：待检测信号经过二选一选择器和D触发器生成上升沿检测事件，待检测信号经过反相器、二选一选择器和D触发器生成下降沿检测事件；电平检测单元由计数单元和对比单元构成：计数单元1计数到配置采样频率的计数值后由对比单元1产生脉冲后作用到计数单元2，同时计数单元2依据检测电平计数到滤波次数配置值后由对比单元2产生有效检测事件。本发明提供的防拆检测方法解决了检测方式可配置性低，边沿检测误触发的问题。
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公开(公告)号：CN114185391A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111239511.5
申请日：2021-10-25
Applicant: 上海华虹集成电路有限责任公司 , 北京中电华大电子设计有限责任公司
Inventor： 赵冬 , 何洋 , 赵文广 , 其他发明人请求不公开姓名
Abstract: 本发明提供一种自适应的超低静态功耗漏电泄放电路，包括误差放大器EA，PMOS功率管MP1，PMOS管MP2，PMOS管MP3，PMOS管MP4，所述误差放大器EA的正相输入端与反馈电压VFB相接，反相输入端与基准电压VREF相接，PMOS功率管MP1的源极与输入电压VDD相接，漏极与分压电阻串RF1、分压电阻串RF2相接，栅极与误差放大器输出端相接；本发明通过PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4构成一种自适应的超低功耗漏电泄放电路，解决了在全工艺角、温度、电压下的LDO在空载时PMOS功率管MP1的漏电过大导致电路无法形成正常的负反馈的问题，并且在通常状态下，PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4构成的电路处于截止状态，具有超低的静态功耗。
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公开(公告)号：CN118487517A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410227221.6
申请日：2024-02-29
Applicant: 上海华虹集成电路有限责任公司
IPC: H02P6/182 , G01R19/175
Abstract: 本发明公开了一种反电动势检测电阻网络，用于BLDC电机反电动势检测，包括：第一电阻单元输入端接第一相端，第一输出端接地，第二输出端和第三输出端连接检测单元不同引脚；第二电阻单元输入端连接第二相端，第一输出端接地，第二输出端和第三输出端连接检测单元不同引脚；第三电阻单元输入端连接第三相端，第一输出端接地，第二输出端和第三输出端连接检测单元不同引脚；检测单元通过比较某一个电阻单元第二输出端和第三输出端电压，检测获得该电阻单元所连接相端反电动势的过零点。本发明在不增加硬件成本的情况下，能够同时兼有ADC和比较器检测反电动势，不需要电机中性点引出外部接线，通过构建“虚拟中性点”能够准确检测电机反电动势。
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公开(公告)号：CN219678317U
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202320024256.0
申请日：2023-01-05
Applicant: 上海华虹集成电路有限责任公司 , 北京中电华大电子设计有限责任公司
IPC: H02M3/07 , H03K17/687
Abstract: 本实用新型属于模拟集成电路设计领域，公开了一种交叉耦合电荷泵的衬底选择电路，包括开关对管电路、衬底选择电路、和输入时钟。输入时钟与开关对管电路连接，用于提供第一时钟信号和第二时钟信号。开关对管电路包含开关NMOS对管和开关PMOS对管，衬底选择电路与开关PMOS对管的衬底连接，用于将开关PMOS对管的衬底电位置为电路中最高的电位，提升开关PMOS对管阈值电压。本实用新型通过对交叉耦合电荷泵中开关PMOS对管衬底电位的置高，有效提高了交叉耦合电荷泵的效率及可靠性。
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公开(公告)号：CN217034617U
公开(公告)日：2022-07-22
申请号：CN202122574451.4
申请日：2021-10-25
Applicant: 上海华虹集成电路有限责任公司 , 北京中电华大电子设计有限责任公司
Inventor： 赵冬 , 何洋 , 赵文广 , 其他发明人请求不公开姓名
Abstract: 本实用新型提供一种自适应的超低静态功耗漏电泄放电路，包括误差放大器EA，PMOS功率管MP1，PMOS管MP2，PMOS管MP3，PMOS管MP4，所述误差放大器EA的正相输入端与反馈电压VFB相接，反相输入端与基准电压VREF相接，PMOS功率管MP1的源极与输入电压VDD相接，漏极与分压电阻串RF1、分压电阻串RF2相接，栅极与误差放大器输出端相接；本实用新型通过PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4构成一种自适应的超低功耗漏电泄放电路，解决了在全工艺角、温度、电压下的LDO在空载时PMOS功率管MP1的漏电过大导致电路无法形成正常的负反馈的问题，并且在通常状态下，PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4构成的电路处于截止状态，具有超低的静态功耗。
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