公开(公告)号：CN115912902A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202310014332.4

申请日：2023-01-05

Applicant: 上海华虹集成电路有限责任公司 ,  北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 罗羿 ,  何洋 ,  赵文广

IPC: H02M3/07 ,  H03K17/687

Abstract: 本发明属于模拟集成电路设计领域，公开了一种交叉耦合电荷泵的衬底选择电路，包括开关对管电路、衬底选择电路、和输入时钟。输入时钟与开关对管电路连接，用于提供第一时钟信号和第二时钟信号。开关对管电路包含开关NMOS对管和开关PMOS对管，衬底选择电路与开关PMOS对管的衬底连接，用于将开关PMOS对管的衬底电位置为电路中最高的电位，提升开关PMOS对管阈值电压。本发明通过对交叉耦合电荷泵中开关PMOS对管衬底电位的置高，有效提高了交叉耦合电荷泵的效率及可靠性。

公开(公告)号：CN114185391A

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202111239511.5

申请日：2021-10-25

Applicant: 上海华虹集成电路有限责任公司 ,  北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 赵冬 ,  何洋 ,  赵文广 ,  其他发明人请求不公开姓名

IPC: G05F1/573 ,  H02H9/02

Abstract: 本发明提供一种自适应的超低静态功耗漏电泄放电路，包括误差放大器EA，PMOS功率管MP1，PMOS管MP2，PMOS管MP3，PMOS管MP4，所述误差放大器EA的正相输入端与反馈电压VFB相接，反相输入端与基准电压VREF相接，PMOS功率管MP1的源极与输入电压VDD相接，漏极与分压电阻串RF1、分压电阻串RF2相接，栅极与误差放大器输出端相接；本发明通过PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4构成一种自适应的超低功耗漏电泄放电路，解决了在全工艺角、温度、电压下的LDO在空载时PMOS功率管MP1的漏电过大导致电路无法形成正常的负反馈的问题，并且在通常状态下，PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4构成的电路处于截止状态，具有超低的静态功耗。

公开(公告)号：CN219678317U

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202320024256.0

申请日：2023-01-05

Applicant: 上海华虹集成电路有限责任公司 ,  北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 罗羿 ,  何洋 ,  赵文广

IPC: H02M3/07 ,  H03K17/687

Abstract: 本实用新型属于模拟集成电路设计领域，公开了一种交叉耦合电荷泵的衬底选择电路，包括开关对管电路、衬底选择电路、和输入时钟。输入时钟与开关对管电路连接，用于提供第一时钟信号和第二时钟信号。开关对管电路包含开关NMOS对管和开关PMOS对管，衬底选择电路与开关PMOS对管的衬底连接，用于将开关PMOS对管的衬底电位置为电路中最高的电位，提升开关PMOS对管阈值电压。本实用新型通过对交叉耦合电荷泵中开关PMOS对管衬底电位的置高，有效提高了交叉耦合电荷泵的效率及可靠性。

公开(公告)号：CN217034617U

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202122574451.4

申请日：2021-10-25

Applicant: 上海华虹集成电路有限责任公司 ,  北京中电华大电子设计有限责任公司

Inventor： 赵冬 ,  何洋 ,  赵文广 ,  其他发明人请求不公开姓名

IPC: G05F1/573 ,  H02H9/02

Abstract: 本实用新型提供一种自适应的超低静态功耗漏电泄放电路，包括误差放大器EA，PMOS功率管MP1，PMOS管MP2，PMOS管MP3，PMOS管MP4，所述误差放大器EA的正相输入端与反馈电压VFB相接，反相输入端与基准电压VREF相接，PMOS功率管MP1的源极与输入电压VDD相接，漏极与分压电阻串RF1、分压电阻串RF2相接，栅极与误差放大器输出端相接；本实用新型通过PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4构成一种自适应的超低功耗漏电泄放电路，解决了在全工艺角、温度、电压下的LDO在空载时PMOS功率管MP1的漏电过大导致电路无法形成正常的负反馈的问题，并且在通常状态下，PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4构成的电路处于截止状态，具有超低的静态功耗。