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公开(公告)号:CN100485068C
公开(公告)日:2009-05-06
申请号:CN200510023450.3
申请日:2005-01-20
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种含N的Fe-Mn-Si-Cr基形状记忆合金的制备方法,属于冶金技术领域。本发明采用熔炼材料分批加入,分阶段熔炼,具体为:先在感应炉的真空条件下加入和熔炼难挥发的金属,然后在氮气保护下加入和熔炼易挥发的金属,再加入含N的冶炼材料,最后在氮气保护下进行浇注和凝固。本发明使合金中的N元素更容易加入、N含量更容易控制,并降低了合金的制备成本,工艺方法简单。
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公开(公告)号:CN1288974A
公开(公告)日:2001-03-28
申请号:CN00125769.2
申请日:2000-10-26
Applicant: 上海交通大学
IPC: C22C38/38
CPC classification number: C21D6/005 , C21D2201/01 , C22C38/34 , C22C38/38
Abstract: 含Cr和N铁锰硅基形状记忆合金及其训练方法,配比成分为20—30%Mn,5—6%Si,2—5%Cr,0.10-0.16%N和余量为Fe。训练是在室温下以预应变3.0%或3.5%对试样进行拉伸变形,然后加热各试样至大约600℃并在此温度下保温约10分钟后冷却,其特征是仅需一次至二次训练,就可达到100%形状恢复率。
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公开(公告)号:CN1644735A
公开(公告)日:2005-07-27
申请号:CN200510023450.3
申请日:2005-01-20
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种含N的Fe-Mn-Si-Cr基形状记忆合金的制备方法,属于冶金技术领域。本发明采用熔炼材料分批加入,分阶段熔炼,具体为:先在感应炉的真空条件下加入和熔炼难挥发的金属,然后在氮气保护下加入和熔炼易挥发的金属,再通过加入含高N的冶炼材料,最后在氮气保护下进行浇注和凝固。本发明使合金中的N元素更容易加入、N含量更容易控制,并降低了合金的制备成本,工艺方法简单。
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公开(公告)号:CN1521286A
公开(公告)日:2004-08-18
申请号:CN03115267.8
申请日:2003-01-29
Applicant: 上海交通大学
IPC: C22C38/38
Abstract: 一种稀土(RE)改性的FeMnSiCr形状记忆合金及其制备方法,该合金的组成(质量分数)包括20~30%Mn、5~6.5%Si、2~5.5%Cr、0.030~0.46%RE和余量为Fe。在FeMnSiCr合金中加入适当量稀土,通常小于0.3wt%可以明显提高其形状记忆效应,这是由于层错能的降低,晶粒明显细化,并通过RE固溶使基体强化。对于含有0.16%RE的FeMnSiCr合金而言,在水淬状态和4%预拉伸变形下可获得80%的形状恢复率;在二次热机械训练循环(室温下4%预拉伸变形后在600±10℃保温30分钟)后可获得几乎100%的形状恢复率。
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公开(公告)号:CN1441072A
公开(公告)日:2003-09-10
申请号:CN03116163.4
申请日:2003-04-03
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种Mn-Fe基系反铁磁磁形状记忆合金属于材料领域。本发明包含的各组分及其重量百分比为:Mn:30-90%;Fe:70-10%。本发明Mn-Fe基系反铁磁磁形状记忆合金非属铁磁性,该合金可在反铁磁状态,在存在fct马氏体孪晶界,或不存在fct马氏体孪晶而存在反铁磁畴界的情况下都可获得磁形状记忆效应,按现测量结果显示,在多晶状态,在1T磁场下,最大已获得~0.1%的磁诱发负应变;如以穿过孪晶界的切应变γo=(a/c)(1-C2/a2)估算,对应c/a=0.96,切应变在单晶状态它的理论值亦可达到4%,与Ni2MnGa和Ni-Co合金相比在多晶状态就可获得可观的磁控形状记忆效应,通过定向凝固或磁场热处理有望获得更大的磁应变量,而具有更易的材料制备和加工性能。
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