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公开(公告)号：CN113547215A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110984783.1
申请日：2021-08-23
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种基于自配分的超高强钢焊接接头强韧化的焊接装置，包括焊枪及冷却口，所述焊枪与所述冷却口分别位于焊缝的正面及背面与所述焊缝相对准，所述焊枪与所述冷却口沿所述焊缝的延伸方向具有设定间距，且所述焊枪与所述冷却口能够沿所述焊缝的延伸方向同步移动，当焊接位置空冷至预定温度时，所述冷却口正好移动至所述焊接位置的背面并喷出冷却气体对所述焊接位置强制冷却，所述冷却口离开焊接位置的背面时所述焊接位置的温度下降至马氏体开始转变温度与马氏体转变终了温度之间。通过冷却口对焊缝区的热循环进行调控，自动产生一个配分阶段，进而对超高强钢焊接接头的强韧性进行调控，获得力学性能提升的超高强钢焊接接头。
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公开(公告)号：CN105562864A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201410553702.2
申请日：2014-10-17
CPC classification number: Y02P10/253
Abstract: 本发明涉及高频感应加热用线圈、配管的钎焊装置及方法，高频感应加热用线圈具有一对开放端部(110a、110b)，开放端部(110a)与开放端部(110b)之间具有近似C字型的圆弧形状，第2线圈部(120)具有配置在与第1线圈部(110)的开放端部(110a、11Ob)相对应的位置上的一对开放端部(120a、120b)，且经由连接部(130、140)与第1线圈部(110)相连。连接部(130、140)的横截面积被设定小于第1线圈部(110)、第2线圈部(120)的横截面积，从而在通电时，连接部(130、140)中的电流密度大于第l线圈部(110)、第2线圈部(120)中的电流密度。
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公开(公告)号：CN105044104A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510293321.X
申请日：2015-06-01
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N21/84
Abstract: 本发明涉及一种基于数字图像相关法的应力测试系统及其应用，主要包括数字摄像机、成像镜头、单色LED照明光源、位移平台、相机支撑杆、水平尺以及用于数字图像采集和分析处理的计算机，其测试过程主要有六步。本发明的测试系统具有组成简单、照明光源稳定、数字摄像机的高度与方位易调节等特点。对钻孔前后的散斑图进行数字图像相关计算即可得到测试结果，具有操作简单、测试成本低、精度高等优点。测试过程不使用应变片，能有效避免使用应变片测量残余应力的局限性。本发明提供的系统可用于大/小尺度测试和全场/局部测试。
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公开(公告)号：CN103596310B
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201310534620.9
申请日：2013-11-01
Applicant: 上海交通大学
IPC: H05B6/36
Abstract: 本发明涉及变截面环形叉口式感应线圈及其制作方法，该感应线圈为由电路及水路接管、非封闭环形管以及同质连接管构成的连通管道钎焊而成，电路及水路接管有两段，非封闭环形管有三段，其中一段为概呈半圆弧状结构，另外两段为短圆弧状结构，两段短圆弧状结构的非封闭环形管的一端分别与两段电路及水路接管连通，同质连接管有两段，分别连接两段短圆弧状结构的非封闭环形管的另一端及概呈半圆弧状结构非封闭环形管的端部，连通非封闭环形管。与现有技术相比，本发明通过减小同质连接管的截面积，可增加此处的电流密度，从而增加该区域作用的焦耳热，改善整个环向区域温度均匀性的目的，能显著提高空调管路感应钎焊的生产效率。
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公开(公告)号：CN103596310A
公开(公告)日：2014-02-19
申请号：CN201310534620.9
申请日：2013-11-01
Applicant: 上海交通大学
IPC: H05B6/36
Abstract: 本发明涉及变截面环形叉口式感应线圈及其制作方法，该感应线圈为由电路及水路接管、非封闭环形管以及同质连接管构成的连通管道钎焊而成，电路及水路接管有两段，非封闭环形管有三段，其中一段为概呈半圆弧状结构，另外两段为短圆弧状结构，两段短圆弧状结构的非封闭环形管的一端分别与两段电路及水路接管连通，同质连接管有两段，分别连接两段短圆弧状结构的非封闭环形管的另一端及概呈半圆弧状结构非封闭环形管的端部，连通非封闭环形管。与现有技术相比，本发明通过减小同质连接管的截面积，可增加此处的电流密度，从而增加该区域作用的焦耳热，改善整个环向区域温度均匀性的目的，能显著提高空调管路感应钎焊的生产效率。
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公开(公告)号：CN101791748A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN201010139876.6
申请日：2010-04-07
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 一种用于电子封装技术领域的抑制固态界面反应的Sn-Ag-Cu-Zn-Ge无铅钎料及其制备方法。所述的钎料组分及其质量百分比为：Ag为0％-3.5％，Cu为0％-0.7％，Zn为0％-2％，Ge为0％-0.3％，余量为Sn。制备方法为：首先，将Sn粒放入KCl+LiCl共晶保护盐熔液中，升温，加入高纯Ag丝和/或Cu丝，第一次保温，充分搅拌，得到均匀的Sn-TM溶液；然后，向合金溶液中加入微量Zn箔和/或Ge粒，第二次保温，并充分搅拌；之后，降温，浇入钎料模具中。本发明解决了现有技术中无铅钎料由于含Sn量高，容易于基板金属发生反应，造成基板大量溶解，同时在界面形成大量金属间化合物，严重影响界面可靠性的缺点，制备本发明的无铅钎料工艺简单，容易产量化。
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公开(公告)号：CN114361274B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202210012005.0
申请日：2022-01-07
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0288 , H01L31/18 , C30B29/36 , C30B23/02
Abstract: 本发明涉及一种基于组分渐变硅碳应变层的硅基半导体光电材料及其制备方法，该材料包括衬底层，以及由下至上依次设于衬底层上的低温缓冲层、组分渐变Si1‑xCx应变层及覆盖层；组分渐变Si1‑xCx应变层由多个依次堆叠设置的Si1‑xCx层组成，多个Si1‑xCx层中C元素掺杂浓度x由下至上依次减小。与现有技术相比，本发明将p区和n区的材料做成组分渐变Si1‑xCx层，利用Si1‑xCx应变层中材料的带隙宽度随C元素掺杂浓度的提高而降低的特点，使组分渐变Si1‑xCx应变层下部区域材料具有较小带隙宽度，可以吸收较长波段的光，组分渐变Si1‑xCx应变层上部区域材料具有较大带隙宽度，可以吸收相对较短波段的光，从而提升材料的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN117821979A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410008467.4
申请日：2024-01-02
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开了一种异种材料焊接接头的金相腐蚀液，涉及金相制备技术领域，金相腐蚀液按照用量比，包括35～50ml乙醇，40～50ml硝酸，20～30g三氯化铁和20～40ml丙三醇。本发明还公开了一种异种材料焊接接头的金相腐蚀方法，使用上述腐蚀液，对异种金属焊接接头进行腐蚀。本发明适用于镍基合金/贝氏体钢异种材料焊接接头的金相腐蚀，解决了传统腐蚀剂对于异种焊接接头试样腐蚀时间很难精准把握以及腐蚀液难以长期保存的问题，具有腐蚀过程平缓稳定，腐蚀后组织显示好，耐长期保存以及操作简单，污染少的特点。
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