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公开(公告)号：CN105720196A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201610260225.X
申请日：2016-04-25
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/0003 , H01L51/0026 , H01L51/0077
Abstract: 本发明提供了一种溴碘混合型有机无机杂化钙钛矿材料及其制备方法；所述制备方法具体为：将溴前驱体溶液涂覆到含碘前驱体钙钛矿材料表层，退火，即可在所述钙钛矿材料表面形成溴碘混合型有机无机杂化钙钛矿材料。与现有技术相比，本发明具备如下优势：得到的溴碘混合型有机无机杂化钙钛矿材料主要存在于表层，能起到更好的保护功能；本发明中溴碘混合型有机无机杂化钙钛矿材料中的溴含量可以调控；本发明可以在操作便捷，反应快速，可以满足规模化工业生产的需求；本发明处理后的溴碘混合型有机无机杂化钙钛矿材料稳定性相比未处理前有大幅提高，且同时提高了钙钛矿薄膜的光电性能，对其在光电领域的实际应用有重要意义。
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公开(公告)号：CN106449979B
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201610786144.3
申请日：2016-08-30
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种通过双氨基有机物制备热稳定钙钛矿CsPbI3的方法；所述方法包括如下步骤：将摩尔比为摩尔比为1:1:0.0125～0.05的HPbI3、CsI以及EDAI2溶于DMF溶液，得前驱体溶液A；将所述前驱体溶液A旋涂到太阳能电池基片上，随后低温退火得到表面平整的钙钛矿薄膜。这种类型的电池不仅具有较高的光电转换效率，而且具有极佳的热稳定性。
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公开(公告)号：CN106449979A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610786144.3
申请日：2016-08-30
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/4226 , C01G21/006 , H01L51/0003 , H01L51/0026 , H01L2251/301
Abstract: 本发明公开了一种通过双氨基有机物制备热稳定钙钛矿CsPbI3的方法；所述方法包括如下步骤：将摩尔比为摩尔比为1:1:0.0125～0.05的HPbI3、CsI以及EDAI2溶于DMF溶液，得前驱体溶液A；将所述前驱体溶液A旋涂到太阳能电池基片上，随后低温退火得到表面平整的钙钛矿薄膜。这种类型的电池不仅具有较高的光电转换效率，而且具有极佳的热稳定性。
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公开(公告)号：CN105932164A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610270202.7
申请日：2016-04-27
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/0025
Abstract: 本发明提供了一种硫处理提高钙钛矿膜稳定性的方法，通过采用含硫无机盐处理钙钛矿薄膜，在钙钛矿薄膜表面生成保护层提高薄膜的稳定性。具体包括如下步骤：将含硫离子溶液在一定的条件下涂覆到铅卤钙钛矿薄膜上，随后退火即可得到硫化铅包覆的钙钛矿薄膜。该方法可以显著提高钙钛矿薄膜的耐湿度稳定性，对其实际应用有重要意义。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105226196A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510684832.4
申请日：2015-10-20
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/0003 , H01L51/42 , H01L2251/301
Abstract: 本发明提供了一种盐酸辅助制备有机无机杂化钙钛矿材料的方法，通过一步旋涂法或连续沉积法制备得到。所述方法包括如下步骤：将浓盐酸、卤化铅PbX2与相应的卤化甲胺MAX按照一定的比例混合后经旋涂退火即得到高质量钙钛矿旋涂膜；或将浓盐酸与卤化铅PbX2按照一定的比例混合后经过旋涂成膜，再经浸泡生长的过程制备得高质量钙钛矿旋涂膜。本发明采用盐酸辅助方法能够制备得到结晶性好，表面致密平整的钙钛矿膜。该制备方法能够在常温下进行，操作便利，成本较低，成膜性好，便于工厂规模化生产。
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公开(公告)号：CN106283104B
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201610637815.X
申请日：2016-08-05
Applicant: 上海交通大学
IPC: C25B11/06 , C25B1/04 , C23C16/40 , C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种非晶二氧化钛/纳米氧化铱/多孔硅阳极及其制备方法，所述阳极包括表面负载纳米氧化铱催化剂的纳米多孔硅基底和二氧化钛保护层；所述二氧化钛保护层涂覆在所述表面负载纳米氧化铱催化剂的纳米多孔硅基底外侧。本发明的合成方法操作简单，所得到的电极仍然保留纳米硅基底的多孔特征和纳米氧化铱催化剂的高效催化性能，并且二氧化钛层的厚度条件可控，其存在使得电极具有较长的使用寿命。而且采用二氧化钛取代传统阳极中的二氧化铱与低温条件制备的特征大幅度降低了电极制备的成本。
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公开(公告)号：CN106283104A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610637815.X
申请日：2016-08-05
Applicant: 上海交通大学
IPC: C25B11/06 , C25B1/04 , C23C16/40 , C23C16/455
CPC classification number: Y02E60/366 , C25B11/0426 , C23C16/405 , C23C16/45525 , C25B1/04 , C25B11/0452
Abstract: 本发明公开了一种非晶二氧化钛/纳米氧化铱/多孔硅阳极及其制备方法，所述阳极包括表面负载纳米氧化铱催化剂的纳米多孔硅基底和二氧化钛保护层；所述二氧化钛保护层涂覆在所述表面负载纳米氧化铱催化剂的纳米多孔硅基底外侧。本发明的合成方法操作简单，所得到的电极仍然保留纳米硅基底的多孔特征和纳米氧化铱催化剂的高效催化性能，并且二氧化钛层的厚度条件可控，其存在使得电极具有较长的使用寿命。而且采用二氧化钛取代传统阳极中的二氧化铱与低温条件制备的特征大幅度降低了电极制备的成本。
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公开(公告)号：CN106098947A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610605842.9
申请日：2016-07-28
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/0077 , H01L51/0003
Abstract: 本发明提供了一种低温制备混合晶型钙钛矿材料的方法，所述方法包括以下步骤：在配制的前驱体溶液中通入盐酸气体，得溶液A；将溶液A旋涂到钙钛矿薄膜上，旋涂后低温退火，即得混合晶型钙钛矿材料。该方法避免了因温度过高导致的退火过程中钙钛矿材料的分解，同时降低了能耗，对实际应用具有重要意义。
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