公开(公告)号：CN106283104B

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201610637815.X

申请日：2016-08-05

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 赵一新 ,  钱旭芳 ,  阚淼 ,  贾爱华 ,  岳东亭 ,  张太阳 ,  郭男杰 ,  李戈 ,  任孟 ,  徐凤 ,  祝瑶 ,  王艺鹏

IPC: C25B11/06 ,  C25B1/04 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

Abstract: 本发明公开了一种非晶二氧化钛/纳米氧化铱/多孔硅阳极及其制备方法，所述阳极包括表面负载纳米氧化铱催化剂的纳米多孔硅基底和二氧化钛保护层；所述二氧化钛保护层涂覆在所述表面负载纳米氧化铱催化剂的纳米多孔硅基底外侧。本发明的合成方法操作简单，所得到的电极仍然保留纳米硅基底的多孔特征和纳米氧化铱催化剂的高效催化性能，并且二氧化钛层的厚度条件可控，其存在使得电极具有较长的使用寿命。而且采用二氧化钛取代传统阳极中的二氧化铱与低温条件制备的特征大幅度降低了电极制备的成本。

公开(公告)号：CN106283104A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610637815.X

申请日：2016-08-05

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 赵一新 ,  钱旭芳 ,  阚淼 ,  贾爱华 ,  岳东亭 ,  张太阳 ,  郭男杰 ,  李戈 ,  任孟 ,  徐凤 ,  祝瑶 ,  王艺鹏

IPC: C25B11/06 ,  C25B1/04 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

CPC classification number: Y02E60/366 ,  C25B11/0426 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45525 ,  C25B1/04 ,  C25B11/0452

Abstract: 本发明公开了一种非晶二氧化钛/纳米氧化铱/多孔硅阳极及其制备方法，所述阳极包括表面负载纳米氧化铱催化剂的纳米多孔硅基底和二氧化钛保护层；所述二氧化钛保护层涂覆在所述表面负载纳米氧化铱催化剂的纳米多孔硅基底外侧。本发明的合成方法操作简单，所得到的电极仍然保留纳米硅基底的多孔特征和纳米氧化铱催化剂的高效催化性能，并且二氧化钛层的厚度条件可控，其存在使得电极具有较长的使用寿命。而且采用二氧化钛取代传统阳极中的二氧化铱与低温条件制备的特征大幅度降低了电极制备的成本。