公开(公告)号：CN106745474B

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201710049459.4

申请日：2017-01-20

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 周保学 ,  曾庆意 ,  白晶 ,  李金花 ,  乔莉 ,  谭晓涵 ,  沈照熙 ,  李晓燕

IPC: B01J23/31 ,  B01J23/22 ,  C02F1/30 ,  C02F1/461 ,  C02F1/72 ,  C25B1/04 ,  C02F101/30

Abstract: 一种可见光响应的三氧化钨‑钒酸铋异质结薄膜电极制备方法，包括以下步骤：将1～3g Bi(NO3)3·5H2O溶于100mL的2mol/L的醋酸水溶液中得到硝酸铋溶液，将0.2～1g NH4VO3溶于100mL的50～200mmol/L的H2O2水溶液中得到过氧钒酸溶液，然后先将硝酸铋溶液旋涂于WO3薄膜表面，再将过氧钒酸溶液旋涂于WO3薄膜表面，将此旋涂过程重复5～20次，将所得薄膜于400～550℃温度一次性热处理1～6小时，自然冷却得到所述WO3/BiVO4异质结薄膜电极。本发明具有简便、温和、高效的特点，所制备的WO3/BiVO4异质结薄膜电极具有良好的可见光吸收性能和良好的稳定性，光电效率高，光电催化降解有机物效果好，能够应用于光电催化产氢和降解有机物以及传感器等领域。

公开(公告)号：CN106745474A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201710049459.4

申请日：2017-01-20

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 周保学 ,  曾庆意 ,  白晶 ,  李金花 ,  乔莉 ,  谭晓涵 ,  沈照熙 ,  李晓燕

IPC: C02F1/30 ,  C02F1/461 ,  C02F1/72 ,  C25B1/04 ,  C02F101/30

Abstract: 一种可见光响应的三氧化钨‑钒酸铋异质结薄膜电极制备方法，包括以下步骤：将1～3g Bi(NO3)3·5H2O溶于100mL的2mol/L的醋酸水溶液中得到硝酸铋溶液，将0.2～1g NH4VO3溶于100mL的50～200mmol/L的H2O2水溶液中得到过氧钒酸溶液，然后先将硝酸铋溶液旋涂于WO3薄膜表面，再将过氧钒酸溶液旋涂于WO3薄膜表面，将此旋涂过程重复5～20次，将所得薄膜于400～550℃温度一次性热处理1～6小时，自然冷却得到所述WO3/BiVO4异质结薄膜电极。本发明具有简便、温和、高效的特点，所制备的WO3/BiVO4异质结薄膜电极具有良好的可见光吸收性能和良好的稳定性，光电效率高，光电催化降解有机物效果好，能够应用于光电催化产氢和降解有机物以及传感器等领域。