可见光响应的三氧化钨-钒酸铋异质结薄膜电极制备方法

    公开(公告)号:CN106745474B

    公开(公告)日:2020-06-30

    申请号:CN201710049459.4

    申请日:2017-01-20

    Abstract: 一种可见光响应的三氧化钨‑钒酸铋异质结薄膜电极制备方法,包括以下步骤:将1~3g Bi(NO3)3·5H2O溶于100mL的2mol/L的醋酸水溶液中得到硝酸铋溶液,将0.2~1g NH4VO3溶于100mL的50~200mmol/L的H2O2水溶液中得到过氧钒酸溶液,然后先将硝酸铋溶液旋涂于WO3薄膜表面,再将过氧钒酸溶液旋涂于WO3薄膜表面,将此旋涂过程重复5~20次,将所得薄膜于400~550℃温度一次性热处理1~6小时,自然冷却得到所述WO3/BiVO4异质结薄膜电极。本发明具有简便、温和、高效的特点,所制备的WO3/BiVO4异质结薄膜电极具有良好的可见光吸收性能和良好的稳定性,光电效率高,光电催化降解有机物效果好,能够应用于光电催化产氢和降解有机物以及传感器等领域。

    可见光响应的三氧化钨‑钒酸铋异质结薄膜电极制备方法

    公开(公告)号:CN106745474A

    公开(公告)日:2017-05-31

    申请号:CN201710049459.4

    申请日:2017-01-20

    Abstract: 一种可见光响应的三氧化钨‑钒酸铋异质结薄膜电极制备方法,包括以下步骤:将1~3g Bi(NO3)3·5H2O溶于100mL的2mol/L的醋酸水溶液中得到硝酸铋溶液,将0.2~1g NH4VO3溶于100mL的50~200mmol/L的H2O2水溶液中得到过氧钒酸溶液,然后先将硝酸铋溶液旋涂于WO3薄膜表面,再将过氧钒酸溶液旋涂于WO3薄膜表面,将此旋涂过程重复5~20次,将所得薄膜于400~550℃温度一次性热处理1~6小时,自然冷却得到所述WO3/BiVO4异质结薄膜电极。本发明具有简便、温和、高效的特点,所制备的WO3/BiVO4异质结薄膜电极具有良好的可见光吸收性能和良好的稳定性,光电效率高,光电催化降解有机物效果好,能够应用于光电催化产氢和降解有机物以及传感器等领域。

Patent Agency Ranking