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公开(公告)号：CN103633193B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310544960.X
申请日：2013-11-05
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种用于硅基薄膜太阳电池的微结构陷光方法，利用微米尺度周期结构作为电池陷光部分，或微米尺度周期结构与绒面织构共同做为电池陷光部分。陷光结构制备在衬底材料上，薄膜电池可直接沉积在陷光衬底上，也可把陷光玻璃片覆盖在电池上，可有效提高电池的陷光能力，从而提高光子吸收，增加薄膜太阳电池光电转化效率。光电效率测试表明，本陷光技术可使双结非晶硅/微晶硅电池相对效率提高9.95%。本发明与现有薄膜电池制备技术兼容，不改变工艺参数情况下有效提高薄膜电池效率，并适合大面积量产。
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公开(公告)号：CN103633193A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310544960.X
申请日：2013-11-05
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/20
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/02327 , H01L31/02167
Abstract: 本发明涉及一种用于硅基薄膜太阳电池的微结构陷光方法，利用微米尺度周期结构作为电池陷光部分，或微米尺度周期结构与绒面织构共同做为电池陷光部分。陷光结构制备在衬底材料上，薄膜电池可直接沉积在陷光衬底上，也可把陷光玻璃片覆盖在电池上，可有效提高电池的陷光能力，从而提高光子吸收，增加薄膜太阳电池光电转化效率。光电效率测试表明，本陷光技术可使双结非晶硅/微晶硅电池相对效率提高9.95%。本发明与现有薄膜电池制备技术兼容，不改变工艺参数情况下有效提高薄膜电池效率，并适合大面积量产。
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公开(公告)号：CN102227002B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110143760.4
申请日：2011-05-31
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/02 , H01L31/04 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种太阳能电池技术领域的多晶硅纳米线太阳能电池及其制备方法，该多晶硅纳米线太阳能电池包括：由上而下依次设置的复合层栅电极、透明ITO导电薄膜层、氮化硅钝化抗反射层、n型硅纳米线阵列、p型硅基底和金属背电极，透明ITO导电薄膜层、氮化硅钝化抗反射层和n型硅纳米线阵列均为方波结构。本发明通过伽伐尼置换方法，采用多晶硅纳米线阵列作为太阳能电池的吸收层，并通过沉积氮化硅钝化抗反射层和ITO薄膜，在常温常压下，制备大面积多晶硅纳米线，制备得到的多晶硅纳米线太阳能电池，提高了太阳能电池光电转换效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103972324B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310039892.1
申请日：2013-02-01
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米压印的硅薄膜太阳电池表面陷光结构制备方法。首先制备压印玻璃模板，将压印玻璃模板浸泡在含氟硅氧烷基的甲苯溶液中修饰，清洗氮气吹干备用。同时对硅基薄膜太阳能电池的表面玻璃进行清洗，并用氮气吹干悬挂且仅使硅基薄膜电池的表面玻璃的表面部分浸泡在含烯酸酯硅氧烷基修饰液中修饰，之后清洗氮气吹干，再在硅基薄膜太阳能电池的表面玻璃旋涂一层透明压印胶，通过压印技术将图形转移到硅基薄膜太阳能电池的表面玻璃上的压印胶体上。本发明既降低反射又能陷光且不改变硅基薄膜太阳能电池制备工艺，可以有效避免薄膜电池缺陷的产生，且不需要复杂设备，高温高压等条件，有利于提高太阳能电池光电转换效率。
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公开(公告)号：CN102303840B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201110172544.2
申请日：2011-06-24
Applicant: 上海交通大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种纳米制造技术领域的矢量式AFM纳米加工系统的纳米压印模版的制备方法，通过对所需要的纳米结构进行矢量化编程得到加工宏文件以控制针尖的运动，并AFM进入成像模式扫描状态，然后开始扫描样品表面，待扫描过程稳定并得到稳定的重复性好的扫描图像后，进入脚本程序模式，通过调用第三步中得到的加工宏文件并导入加工系统中开始加工；待加工完成后，进入实时成像模式，再次扫描来获得加工结构的表面形貌结构图；最后利用所制备的纳米图形结构作为掩膜，结合高选择性各向异性湿法刻蚀技术，将AFM电场诱导阳极氧化制备出的纳米结构图形转移到基底上，进而制造出纳米结构模版。
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公开(公告)号：CN103972324A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201310039892.1
申请日：2013-02-01
Applicant: 上海交通大学
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/0236 , G03F7/0002
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米压印的硅薄膜太阳电池表面陷光结构制备方法。首先制备压印玻璃模板，将压印玻璃模板浸泡在含氟硅氧烷基的甲苯溶液中修饰，清洗氮气吹干备用。同时对硅基薄膜太阳能电池的表面玻璃进行清洗，并用氮气吹干悬挂且仅使硅基薄膜电池的表面玻璃的表面部分浸泡在含烯酸酯硅氧烷基修饰液中修饰，之后清洗氮气吹干，再在硅基薄膜太阳能电池的表面玻璃旋涂一层透明压印胶，通过压印技术将图形转移到硅基薄膜太阳能电池的表面玻璃上的压印胶体上。本发明既降低反射又能陷光且不改变硅基薄膜太阳能电池制备工艺，可以有效避免薄膜电池缺陷的产生，且不需要复杂设备，高温高压等条件，有利于提高太阳能电池光电转换效率。
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公开(公告)号：CN102303840A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201110172544.2
申请日：2011-06-24
Applicant: 上海交通大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种纳米制造技术领域的矢量式AFM纳米加工系统的纳米压印模版的制备方法，通过对所需要的纳米结构进行矢量化编程得到加工宏文件以控制针尖的运动，并AFM进入成像模式扫描状态，然后开始扫描样品表面，待扫描过程稳定并得到稳定的重复性好的扫描图像后，进入脚本程序模式，通过调用第三步中得到的加工宏文件并导入加工系统中开始加工；待加工完成后，进入实时成像模式，再次扫描来获得加工结构的表面形貌结构图；最后利用所制备的纳米图形结构作为掩膜，结合高选择性各向异性湿法刻蚀技术，将AFM电场诱导阳极氧化制备出的纳米结构图形转移到基底上，进而制造出纳米结构模版。
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公开(公告)号：CN102227002A
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN201110143760.4
申请日：2011-05-31
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L31/0216 , H01L31/02 , H01L31/04 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 一种太阳能电池技术领域的多晶硅纳米线太阳能电池及其制备方法，该多晶硅纳米线太阳能电池包括：由上而下依次设置的复合层栅电极、透明ITO导电薄膜层、氮化硅钝化抗反射层、n型硅纳米线阵列、p型硅基底和金属背电极，透明ITO导电薄膜层、氮化硅钝化抗反射层和n型硅纳米线阵列均为方波结构。本发明通过伽伐尼置换方法，采用多晶硅纳米线阵列作为太阳能电池的吸收层，并通过沉积氮化硅钝化抗反射层和ITO薄膜，在常温常压下，制备大面积多晶硅纳米线，制备得到的多晶硅纳米线太阳能电池，提高了太阳能电池光电转换效率。
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