公开(公告)号：CN103178156A

公开(公告)日：2013-06-26

申请号：CN201310039891.7

申请日：2013-02-01

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 王庆康 ,  沈向前 ,  钟建平 ,  黄堃 ,  严兴茂

IPC: H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种薄膜太阳能电池陷光结构玻璃的制备及其应用，该方法利用湿法刻蚀，在玻璃基片上得到半球凹坑阵列结构，结构具有周期性和对称性，拥有光子晶体的性能。首先通过光刻和显影，将模板上的图形转移到光刻胶中，之后通过去铬溶液，将图形转移到铬层中，最后通过刻蚀，在平板玻璃上得到微纳周期结构。刻蚀包括湿法刻蚀和干法刻蚀。此结构用于薄膜太阳能电池衬底，可提高入射光的透射衍射，延长光子在吸收层的传播路径，从而增加薄膜电池吸收层的陷光能力，提高电池的能量转换效率。本发明具有材料廉价、工艺简单的优点，可有效提高薄膜电池的陷光能力并降低生产成本。

公开(公告)号：CN103633193B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201310544960.X

申请日：2013-11-05

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 王庆康 ,  沈向前 ,  王阳培华 ,  黄堃 ,  严兴茂

IPC: H01L31/20

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种用于硅基薄膜太阳电池的微结构陷光方法，利用微米尺度周期结构作为电池陷光部分，或微米尺度周期结构与绒面织构共同做为电池陷光部分。陷光结构制备在衬底材料上，薄膜电池可直接沉积在陷光衬底上，也可把陷光玻璃片覆盖在电池上，可有效提高电池的陷光能力，从而提高光子吸收，增加薄膜太阳电池光电转化效率。光电效率测试表明，本陷光技术可使双结非晶硅/微晶硅电池相对效率提高9.95%。本发明与现有薄膜电池制备技术兼容，不改变工艺参数情况下有效提高薄膜电池效率，并适合大面积量产。

公开(公告)号：CN105315675A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201410280391.7

申请日：2014-06-20

Applicant: 上海交通大学 ,  日立化成株式会社

Inventor： 甘延长 ,  姜学松 ,  印杰 ,  锻治诚 ,  黄堃

IPC: C08L83/07 ,  C08L83/08 ,  H01L33/56

Abstract: 本发明提供一种紫外光固化组合物，该组合物包含含巯基的聚硅氧烷化合物和含烯烃基的聚硅氧烷化合物。该组合物具有快速固化、出光强度高、折射率高的优点，所以可用于紫外光固化，且可作为电子器件、照明器件等的封装材料。

公开(公告)号：CN103633193A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310544960.X

申请日：2013-11-05

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 王庆康 ,  沈向前 ,  王阳培华 ,  黄堃 ,  严兴茂

IPC: H01L31/20

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/02167

Abstract: 本发明涉及一种用于硅基薄膜太阳电池的微结构陷光方法，利用微米尺度周期结构作为电池陷光部分，或微米尺度周期结构与绒面织构共同做为电池陷光部分。陷光结构制备在衬底材料上，薄膜电池可直接沉积在陷光衬底上，也可把陷光玻璃片覆盖在电池上，可有效提高电池的陷光能力，从而提高光子吸收，增加薄膜太阳电池光电转化效率。光电效率测试表明，本陷光技术可使双结非晶硅/微晶硅电池相对效率提高9.95%。本发明与现有薄膜电池制备技术兼容，不改变工艺参数情况下有效提高薄膜电池效率，并适合大面积量产。