公开(公告)号：CN102227002A

公开(公告)日：2011-10-26

申请号：CN201110143760.4

申请日：2011-05-31

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 王庆康 ,  万霞 ,  王阳培华 ,  李翔 ,  胡克想

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/02 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种太阳能电池技术领域的多晶硅纳米线太阳能电池及其制备方法，该多晶硅纳米线太阳能电池包括：由上而下依次设置的复合层栅电极、透明ITO导电薄膜层、氮化硅钝化抗反射层、n型硅纳米线阵列、p型硅基底和金属背电极，透明ITO导电薄膜层、氮化硅钝化抗反射层和n型硅纳米线阵列均为方波结构。本发明通过伽伐尼置换方法，采用多晶硅纳米线阵列作为太阳能电池的吸收层，并通过沉积氮化硅钝化抗反射层和ITO薄膜，在常温常压下，制备大面积多晶硅纳米线，制备得到的多晶硅纳米线太阳能电池，提高了太阳能电池光电转换效率。

公开(公告)号：CN102303840A

公开(公告)日：2012-01-04

申请号：CN201110172544.2

申请日：2011-06-24

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 王庆康 ,  胡克想 ,  王阳培华 ,  万霞

IPC: B81C1/00

Abstract: 一种纳米制造技术领域的矢量式AFM纳米加工系统的纳米压印模版的制备方法，通过对所需要的纳米结构进行矢量化编程得到加工宏文件以控制针尖的运动，并AFM进入成像模式扫描状态，然后开始扫描样品表面，待扫描过程稳定并得到稳定的重复性好的扫描图像后，进入脚本程序模式，通过调用第三步中得到的加工宏文件并导入加工系统中开始加工；待加工完成后，进入实时成像模式，再次扫描来获得加工结构的表面形貌结构图；最后利用所制备的纳米图形结构作为掩膜，结合高选择性各向异性湿法刻蚀技术，将AFM电场诱导阳极氧化制备出的纳米结构图形转移到基底上，进而制造出纳米结构模版。

公开(公告)号：CN102227002B

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201110143760.4

申请日：2011-05-31

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 王庆康 ,  万霞 ,  王阳培华 ,  李翔 ,  胡克想

IPC: H01L31/0216 ,  H01L31/02 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 一种太阳能电池技术领域的多晶硅纳米线太阳能电池及其制备方法，该多晶硅纳米线太阳能电池包括：由上而下依次设置的复合层栅电极、透明ITO导电薄膜层、氮化硅钝化抗反射层、n型硅纳米线阵列、p型硅基底和金属背电极，透明ITO导电薄膜层、氮化硅钝化抗反射层和n型硅纳米线阵列均为方波结构。本发明通过伽伐尼置换方法，采用多晶硅纳米线阵列作为太阳能电池的吸收层，并通过沉积氮化硅钝化抗反射层和ITO薄膜，在常温常压下，制备大面积多晶硅纳米线，制备得到的多晶硅纳米线太阳能电池，提高了太阳能电池光电转换效率。

公开(公告)号：CN102303840B

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201110172544.2

申请日：2011-06-24

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 王庆康 ,  胡克想 ,  王阳培华 ,  万霞

IPC: B81C1/00

Abstract: 一种纳米制造技术领域的矢量式AFM纳米加工系统的纳米压印模版的制备方法，通过对所需要的纳米结构进行矢量化编程得到加工宏文件以控制针尖的运动，并AFM进入成像模式扫描状态，然后开始扫描样品表面，待扫描过程稳定并得到稳定的重复性好的扫描图像后，进入脚本程序模式，通过调用第三步中得到的加工宏文件并导入加工系统中开始加工；待加工完成后，进入实时成像模式，再次扫描来获得加工结构的表面形貌结构图；最后利用所制备的纳米图形结构作为掩膜，结合高选择性各向异性湿法刻蚀技术，将AFM电场诱导阳极氧化制备出的纳米结构图形转移到基底上，进而制造出纳米结构模版。

公开(公告)号：CN101957559A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN201010266692.6

申请日：2010-08-30

Applicant: 上海交通大学 ,  日立化成工业株式会社

Inventor： 林宏 ,  万霞 ,  姜学松 ,  王庆康 ,  印杰 ,  锻治诚

IPC: G03F7/027 ,  C07D311/18 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027

Abstract: 一种半导体制造技术领域的光可逆的纳米压印光刻胶及其制备和应用方法，其光刻胶的组分及质量百分比含量为：光可逆交联剂5～50％、光聚合性化合物5～80％以及为光聚合引发剂或光产酸剂0.1％～15％，其中光可逆交联剂的结构式为：本发明制备得到光刻胶的黏度低，便于旋涂涂覆与压印工艺操作，光可逆且抗刻蚀好。