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公开(公告)号：CN111474192A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010214320.2
申请日：2020-03-24
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N23/20
Abstract: 本发明提供了一种追踪特定取向二阶应力分布的中子衍射测量方法及系统，包括：步骤1：根据样品晶体结构特点确定拟追踪晶粒取向及其待测{hkl}晶面组；步骤2：通过织构标定或理论计算，确定各待测{hkl}晶面空间衍射几何位置；步骤3：利用中子衍射测量待测{hkl}晶面；步骤4：计算所追踪晶粒取向的三维应力张量并输出结果；步骤5：若进行原位实验，则改变原位环境后，返回步骤3，继续执行，获得所追踪晶粒取向的原位三维应力张量并输出结果。本发明通过利用中子衍射技术对特定晶粒取向的追踪，解决了多晶材料内部不同晶粒取向二阶应力张量测量的问题。
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