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公开(公告)号:CN108088610A
公开(公告)日:2018-05-29
申请号:CN201711121529.9
申请日:2017-11-14
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供一种复合保护层的高温薄膜应变计及其制备方法,所述应变计包括:高温合金构件基底、合金过渡层、氧化铝绝缘层、氧化铝保护层、铝中间层、PdCr应变层和Pt电极。所述应变计以高温合金构件为基底,在基底上先磁控溅射过渡层合金并高温氧化生成薄层氧化铝薄膜,再双离子束溅射沉积氧化铝绝缘薄膜,在绝缘薄膜上射频磁控溅射PdCr应变层,离子束溅射Al中间层和Al2O3保护层。本发明适用于构件在高温工作过程中应变的实时测量;采用通用MEMS图形化工艺,溅射PdCr做应变层,离子束溅射制备Al和Al2O3经过热处理得到复合保护层,来防止PdCr薄膜的氧化,提高了应变计的抗氧化能力和稳定性。
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公开(公告)号:CN109798995A
公开(公告)日:2019-05-24
申请号:CN201910043944.X
申请日:2019-01-17
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01K7/02
Abstract: 本发明提出一种柔性高灵敏度薄膜热电堆型热流传感器及制备方法,包括:柔性基底、热电堆薄膜、热阻层,柔性基底的上方设置多对热电偶,多对热电偶首尾搭接形成热电堆薄膜,热电偶的两个电极连接处以及相邻热电偶的连接处为热电堆结点,热电堆薄膜上方设置热阻层,热电阻层覆盖于部分热电堆结点的上方,使热电堆薄膜上形成间隔分布的冷结点和热结点,其中,冷结点为被热阻层覆盖的热电堆结点,热结点为未被热阻层覆盖的热电堆结点;当外部环境在传感器上施加垂直方向热流时,冷结点和热结点形成温度差,通过热电堆输出相应电势,从而实现对热流密度的瞬态测量。本发明能实现对热流密度的瞬态测量,具有灵敏度高,结构简单,制备成本低的特点。
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公开(公告)号:CN106959169B
公开(公告)日:2019-05-17
申请号:CN201710254835.3
申请日:2017-04-18
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供一种新型多功能传感器芯片及其制备方法,包括硅基衬底,以及设于硅基衬底上的氧化硅绝缘层、温度传感器、C4D电导率传感器、BST薄膜保护层,其中:氧化硅绝缘层覆盖在硅基衬底上方,C4D电导率传感器的四个敏感电极被氧化硅绝缘层包围,温度传感器置于氧化硅绝缘层上方,BST薄膜保护层覆盖在温度传感器、C4D电导率传感器上表面并露出引线电极;当所述芯片置于被测溶液中时,由C4D测量原理,C4D电导率传感器输出被测溶液的阻抗图,将其与标准的阻抗谱比对后即得到相应电导率值;同时,温度传感器输出相应温度。本发明同时实现温度与电导率测量,具有结构简单、体积小、成本低、耐腐蚀、响应速度快、测量范围大、测量精度高的特点。
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公开(公告)号:CN108088610B
公开(公告)日:2019-09-27
申请号:CN201711121529.9
申请日:2017-11-14
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供一种复合保护层的高温薄膜应变计及其制备方法,所述应变计包括:高温合金构件基底、合金过渡层、氧化铝绝缘层、氧化铝保护层、铝中间层、PdCr应变层和Pt电极。所述应变计以高温合金构件为基底,在基底上先磁控溅射过渡层合金并高温氧化生成薄层氧化铝薄膜,再双离子束溅射沉积氧化铝绝缘薄膜,在绝缘薄膜上射频磁控溅射PdCr应变层,离子束溅射Al中间层和Al2O3保护层。本发明适用于构件在高温工作过程中应变的实时测量;采用通用MEMS图形化工艺,溅射PdCr做应变层,离子束溅射制备Al和Al2O3经过热处理得到复合保护层,来防止PdCr薄膜的氧化,提高了应变计的抗氧化能力和稳定性。
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公开(公告)号:CN106959169A
公开(公告)日:2017-07-18
申请号:CN201710254835.3
申请日:2017-04-18
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供一种新型多功能传感器芯片及其制备方法,包括硅基衬底,以及设于硅基衬底上的氧化硅绝缘层、温度传感器、C4D电导率传感器、BST薄膜保护层,其中:氧化硅绝缘层覆盖在硅基衬底上方,C4D电导率传感器的四个敏感电极被氧化硅绝缘层包围,温度传感器置于氧化硅绝缘层上方,BST薄膜保护层覆盖在温度传感器、C4D电导率传感器上表面并露出引线电极;当所述芯片置于被测溶液中时,由C4D测量原理,C4D电导率传感器输出被测溶液的阻抗图,将其与标准的阻抗谱比对后即得到相应电导率值;同时,温度传感器输出相应温度。本发明同时实现温度与电导率测量,具有结构简单、体积小、成本低、耐腐蚀、响应速度快、测量范围大、测量精度高的特点。
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