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公开(公告)号：CN108088610B
公开(公告)日：2019-09-27
申请号：CN201711121529.9
申请日：2017-11-14
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供一种复合保护层的高温薄膜应变计及其制备方法，所述应变计包括：高温合金构件基底、合金过渡层、氧化铝绝缘层、氧化铝保护层、铝中间层、PdCr应变层和Pt电极。所述应变计以高温合金构件为基底，在基底上先磁控溅射过渡层合金并高温氧化生成薄层氧化铝薄膜，再双离子束溅射沉积氧化铝绝缘薄膜，在绝缘薄膜上射频磁控溅射PdCr应变层，离子束溅射Al中间层和Al2O3保护层。本发明适用于构件在高温工作过程中应变的实时测量；采用通用MEMS图形化工艺，溅射PdCr做应变层，离子束溅射制备Al和Al2O3经过热处理得到复合保护层，来防止PdCr薄膜的氧化，提高了应变计的抗氧化能力和稳定性。
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公开(公告)号：CN108242433A
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201711270635.3
申请日：2017-12-05
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开一种基于光刻和电镀实现超精细封装引线的方法，具体为：在固定有芯片和金属焊盘的衬底表面涂覆一层干膜光刻胶；进行光刻、显影，在芯片和金属焊盘上的干膜中分别显出过孔；在所形成的表面制备一层种子层；在种子层表面再涂覆一层干膜光刻胶；再进行光刻、显影，使得金属焊盘上方过孔以及过孔之间引线下方的种子层暴露出来；然后在暴露的种子层表面电镀一层铜，形成金属焊盘之间的引线；最后，移除作为牺牲层的干膜光刻胶和种子层，最终形成悬空的引线互连结构。本发明用光刻和电镀工艺代替引线键合，实现芯片与衬底焊盘之间的连接，引线的尺寸不受传统引线键合工艺的制约，使引线的特征尺寸可以进一步缩小到光刻的精度。
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公开(公告)号：CN108088610A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711121529.9
申请日：2017-11-14
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供一种复合保护层的高温薄膜应变计及其制备方法，所述应变计包括：高温合金构件基底、合金过渡层、氧化铝绝缘层、氧化铝保护层、铝中间层、PdCr应变层和Pt电极。所述应变计以高温合金构件为基底，在基底上先磁控溅射过渡层合金并高温氧化生成薄层氧化铝薄膜，再双离子束溅射沉积氧化铝绝缘薄膜，在绝缘薄膜上射频磁控溅射PdCr应变层，离子束溅射Al中间层和Al2O3保护层。本发明适用于构件在高温工作过程中应变的实时测量；采用通用MEMS图形化工艺，溅射PdCr做应变层，离子束溅射制备Al和Al2O3经过热处理得到复合保护层，来防止PdCr薄膜的氧化，提高了应变计的抗氧化能力和稳定性。
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公开(公告)号：CN108242433B
公开(公告)日：2020-02-04
申请号：CN201711270635.3
申请日：2017-12-05
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开一种基于光刻和电镀实现超精细封装引线的方法，具体为：在固定有芯片和金属焊盘的衬底表面涂覆一层干膜光刻胶；进行光刻、显影，在芯片和金属焊盘上的干膜中分别显出过孔；在所形成的表面制备一层种子层；在种子层表面再涂覆一层干膜光刻胶；再进行光刻、显影，使得金属焊盘上方过孔以及过孔之间引线下方的种子层暴露出来；然后在暴露的种子层表面电镀一层铜，形成金属焊盘之间的引线；最后，移除作为牺牲层的干膜光刻胶和种子层，最终形成悬空的引线互连结构。本发明用光刻和电镀工艺代替引线键合，实现芯片与衬底焊盘之间的连接，引线的尺寸不受传统引线键合工艺的制约，使引线的特征尺寸可以进一步缩小到光刻的精度。
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