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公开(公告)号：CN105526854A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201610034095.8
申请日：2016-01-19
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01B7/02
CPC classification number: G01B7/023
Abstract: 本发明提供了一种基于双线圈的微型电涡流传感器，包括：电极、激励线圈、感应线圈、聚酰亚胺、通孔、玻璃基片和连接线，其中：感应线圈位于激励线圈正上方；通孔位于激励线圈和感应线圈的中央，用于分别连接电极与激励线圈、电极与感应线圈；聚酰亚胺用于感应线圈与激励线圈的绝缘和支撑，玻璃基片位于最下方，连接线用于连接通孔与电极。本发明所述传感器利用电涡流检测原理，并结合法拉第电磁感应定律有效地检测与金属物体之间的距离。本发明克服了传统电涡流传感器需要结合信号转换电路才能使用的缺点，简化了检测系统，同时利用微加工工艺进行传感器的加工制造，体积小，功耗低，易于实现批量化集成制造。
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公开(公告)号：CN103325754B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201310192830.4
申请日：2013-05-22
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L23/492 , H01L21/48
Abstract: 本发明提供了一种基于碳纳米管增强的聚合物复合材料转接板及其制备方法，包括金属柱、侧壁绝缘膜、碳纳米管网络结构和聚合物，其中：用侧壁绝缘膜包围金属柱的侧壁形成金属柱阵列规则排布在碳纳米管网络结构和聚合物组成的转接板基体中，碳纳米管网络结构内的空隙及碳纳米管网络结构与金属柱间的空隙由聚合物填充完整。本发明由于聚合物材料价格低、质量轻，同时碳纳米管具有良好的导热性能和机械性能，可以改善转接板的导热性能，并延长其使用寿命，因而实现低成本、质量轻的要求，便于实现产业化应用。
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公开(公告)号：CN105070682A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510423748.7
申请日：2015-07-17
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/768
CPC classification number: H01L21/76838
Abstract: 本发明公开一种高效制备硅基转接板的方法，步骤：1)旋涂光刻胶、光刻、显影；2)刻蚀；3)氧化；4)溅射Ti/Cu等种子层；5)键合干膜光刻胶、光刻、显影；6)填充TSV；7)去胶、种子层，制备的Cu-TSV与Cu-Pad是无暇连接。本发明能以更高的效率、更低的成本制备硅基转接板，结合牢固，且制备工艺更为灵活。
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公开(公告)号：CN103107154B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201310025294.9
申请日：2013-01-23
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种用于TSV铜互连的应力隔离焊垫结构及其制备方法，包括位于TSV通孔铜柱与硅孔壁交界区域的跨越式连接部分和附着于TSV铜柱顶端面和硅芯片表面的平铺部分；使作为焊垫的金属膜在大部分与TSV铜柱和芯片表面紧密结合的同时，只在铜柱与硅孔壁交界的环状微区脱离表面，形成跨越式连结沟通垂直互连铜柱与再分布互连导线。这样当铜柱与硅孔交界处产生集中热应力形变时，并不能直接传递给跨越式焊垫结构，同时跨越式结构还能通过自身易于形变的特性很好地适应因界面变形而产生的结构变化，从而确保焊垫内应力处于安全区间，降低断裂的可能性，减少电互连失效现象发生。
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公开(公告)号：CN102768148B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201210247658.3
申请日：2012-07-17
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N3/02
Abstract: 本发明公开了一种用于TSV铜互连材料力学性能测试的原位压缩试样，所述试样包括试样部分和用于固定试样的固定端，所述的试样部分是在硅通孔中形成的圆形金属柱；所述的固定端部分为圆形或方形平板结构，所述试样部分在所述固定端的上端部分。本发明与国内外现有的微拉伸试样相比，试样受力方向与圆形金属柱的生长方向一致，且主体尺寸是微米级，实现了原位TSV铜柱的力学性能测试，能有效地解决薄膜层力学性能测试数据不能真实反应TSV孔内铜互连材料力学性能的问题，提高了3D封装设计与仿真模拟中TSV铜互连材料力学特性参数的真实性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103575590A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310471647.8
申请日：2013-10-10
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N3/02
Abstract: 本发明公开了一种用于3D-TSV铜互连材料力学性能测试的原位拉伸试样，所述试样包括试样部分，固定部分和用于夹持试样的夹持部分，所述的试样部分是在硅通孔中形成的圆形金属柱；所述的固定部分为有固定槽的电镀金属；所述的夹持部分为带有定位孔和带网状支撑结构的金属框架。试样与实际生产中TSV-Cu互连材料主体尺寸基本相同，与实际应用中TSV-Cu互连材料的成型工艺与结构相同，试样受力方向与铜柱的生长方向一致。能与TSV-Cu材料在实际中的受力情况很好的匹配。
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公开(公告)号：CN102217939B
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201110138226.4
申请日：2011-05-26
Applicant: 上海交通大学
IPC: A61B5/145
Abstract: 一种医疗监测仪器技术领域的用于微创动态血糖监测的微尖阵列电极，包括：支撑结构和与其固定连接的三个电极结构，该电极结构由相连的电极微尖阵列和电极传导结构组成，三个电极传导结构均与支撑结构固定连接。本发明的各电极的微尖阵列刺入并停留在人体皮肤的浅表层，能够持续探测体液中血糖反应电流并转化成血糖浓度参数定时输出，从而实现微创型连续血糖监测，具有操作简便、创伤轻微的特点。
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公开(公告)号：CN102766893A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201210258430.4
申请日：2012-07-24
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明公开一种可图形化纳米多孔铜的制备方法，包括步骤：（1）玻璃片上，溅射Cr-Cu种子层，依次进行甩正性光刻胶、烘胶、曝光、显影处理，实现纳米多孔铜光刻胶结构的图形化；（2）采用电沉积技术进行铜应力缓冲层、Cu-Zn合金层的沉积，获得图形化的前驱合金薄膜；（3）将图形化的Cu-Zn前驱合金薄膜在酸性溶液中进行去合金化处理，然后再去正胶，最终实现可图形化的纳米多孔铜，得到纳米多孔铜阵列。本发明能够与微加工工艺兼容，具体利用光刻图形化技术、铜锌合金共沉积技术以及去合金化技术获得各种图形的纳米多孔铜阵列，该工艺方法简单、成本低、易于控制且与微加工工艺兼容性好。
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公开(公告)号：CN102607938A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210050952.5
申请日：2012-02-29
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N3/02
Abstract: 本发明公开了一种用于TSV铜互连材料力学性能测试的原位拉伸试样，所述试样包括试样部分和用于夹持试样的夹持部分，所述的试样部分是在硅通孔中形成的圆形金属柱；所述的夹持部分包括上夹持端和下夹持端，上、下夹持端均为方形平板结构，所述试样部分夹持在所述上夹持端和下夹持端之间。本发明与国内外现有的微拉伸试样相比，试样受力方向与圆形金属柱的生长方向一致，且主体尺寸是微米级，实现了原位TSV铜柱的力学性能测试，能有效地解决薄膜层力学性能测试数据不能真实反应TSV孔内铜互连材料力学性能的问题，提高了3D封装设计与仿真模拟中TSV铜互连材料力学特性参数的真实性。
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公开(公告)号：CN102519762A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110386375.2
申请日：2011-11-28
Applicant: 上海交通大学
IPC: G01N1/28
Abstract: 本发明公开一种薄膜测试技术领域的带网状支撑框架的低应力微拉伸试样的制备方法，步骤：在玻璃基片上旋甩光刻胶作为牺牲层并前烘，在牺牲层上溅射金属Ti层并做表面活化处理用作种子层，在种子层上进行甩胶、曝光、显影，根据掩模版设计的微拉伸试样层形状，实现其光刻胶结构的图形化；在表面活化的Ti层上电镀Cu-TSV试样层；在Cu-TSV镀层上进行支撑框架层的电化学沉积；最后去除光刻胶图形化层、Ti溅射层、牺牲层，得到独立的带有网状支撑框架的悬空Cu-TSV微拉伸试样。本发明制备的微拉伸试样有效降低了薄膜应力，结构简单，易于制备，成本低，实现了Cu-TSV薄膜的原位独立拉伸，有利于微拉伸精准测试。
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