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公开(公告)号:CN102503550B
公开(公告)日:2013-05-08
申请号:CN201110347772.9
申请日:2011-11-07
Applicant: 上海交通大学
IPC: C04B41/50
Abstract: 本发明涉及一种制备氧化锌纳米线薄膜的方法。一种制备氧化锌纳米线薄膜的方法,包括以下工序:a)用3-氨丙基三乙氧基硅烷对氧化锌纳米线进行表面修饰,得到经过表面修饰的氧化锌纳米线;b)将所述经过表面修饰的氧化锌纳米线置于水中,进行超声分散,得到均匀的悬浊液;c)将经过亲水性处理的带有二氧化硅层的硅片,置于所述悬浊液中,静置,得到所述氧化锌纳米线薄膜。本发明解决了现有的制备氧化锌纳米线薄膜的方法工艺复杂、成本高、操作难度大、效率低的技术问题。
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公开(公告)号:CN102503550A
公开(公告)日:2012-06-20
申请号:CN201110347772.9
申请日:2011-11-07
Applicant: 上海交通大学
IPC: C04B41/50
Abstract: 本发明涉及一种制备氧化锌纳米线薄膜的方法。一种制备氧化锌纳米线薄膜的方法,包括以下工序:a)用3-氨丙基三乙氧基硅烷对氧化锌纳米线进行表面修饰,得到经过表面修饰的氧化锌纳米线;b)将所述经过表面修饰的氧化锌纳米线置于水中,进行超声分散,得到均匀的悬浊液;c)将经过亲水性处理的带有二氧化硅层的硅片,置于所述悬浊液中,静置,得到所述氧化锌纳米线薄膜。本发明解决了现有的制备氧化锌纳米线薄膜的方法工艺复杂、成本高、操作难度大、效率低的技术问题。
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公开(公告)号:CN101924028A
公开(公告)日:2010-12-22
申请号:CN201010270528.2
申请日:2010-09-02
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 一种纳米器件技术领域的基于介电泳技术的碳化硅纳米线定向有序排布方法,通过在硅片上采用标准的光刻和lift-off工艺制作出电极对,然后将碳化硅纳米线分散于溶剂中经进行低温超声分散得到稳定的碳化硅纳米线溶液,在电极对上施加交流信号电压后,将碳化硅纳米线溶液滴在电极对之间,使纳米线在电场力和力矩的作用下实现定向排布。本发明通过简单、方便、高效的工艺方法,实现碳化硅纳米线在电极间的定向排布。
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公开(公告)号:CN101924028B
公开(公告)日:2012-02-29
申请号:CN201010270528.2
申请日:2010-09-02
Applicant: 上海交通大学
IPC: H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 一种纳米器件技术领域的基于介电泳技术的碳化硅纳米线定向有序排布方法,通过在硅片上采用标准的光刻和lift-off工艺制作出电极对,然后将碳化硅纳米线分散于溶剂中经进行低温超声分散得到稳定的碳化硅纳米线溶液,在电极对上施加交流信号电压后,将碳化硅纳米线溶液滴在电极对之间,使纳米线在电场力和力矩的作用下实现定向排布。本发明通过简单、方便、高效的工艺方法,实现碳化硅纳米线在电极间的定向排布。
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