一种在微纳电极上沉积介质阻挡层的方法

    公开(公告)号:CN102403175A

    公开(公告)日:2012-04-04

    申请号:CN201110346453.6

    申请日:2011-11-04

    Abstract: 本发明公开一种在微纳电极上沉积介质阻挡层的方法,包括如下步骤:在衬底上制备三维微放电电极;在微电极表面电泳沉积碳纳米管并同时形成氧化镁介质覆盖层。本发明通过改善碳纳米管和微放电电极表面的介质覆盖性,改善了介质对离化电流的抑制作用并延长了的工作寿命,制备步骤简单,制备成本低。

    一种基于碳纳米管的介质阻挡微放电结构的制备方法

    公开(公告)号:CN102332375B

    公开(公告)日:2014-03-19

    申请号:CN201110226566.2

    申请日:2011-08-09

    Abstract: 本发明公开一种基于碳纳米管的介质阻挡微放电结构的制备方法,具体包括如下步骤:在衬底上制备三维微放电电极;在微电极表面沉积聚合物介质薄膜;形成介质和电极交替结构;在未覆盖介质的微电极上沉积一维纳米材料。本发明可以有效改善介质对微放电电极表面的覆盖性,增强了介质对离化的抑制作用,所形成的交替介质和电极结构,可避免电极间的碳纳米管的短路故障,提高器件的工作寿命和制备合格率。

    实现氧化锌纳米线自组装的方法

    公开(公告)号:CN102140037A

    公开(公告)日:2011-08-03

    申请号:CN201110071916.2

    申请日:2011-03-24

    Abstract: 一种纳米处理技术领域的实现氧化锌纳米线自组装的方法,通过将硅片表面依次进行羟基化和氨基化处理后,浸泡于经十二烷基硫酸钠进行表面修饰后的氧化锌纳米线分散液,实现自组装。本发明简单、方便、高效,制备得到的氧化锌纳米线薄膜适宜制备高质量器件。

    真空传感器
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102494837A

    公开(公告)日:2012-06-13

    申请号:CN201110391809.8

    申请日:2011-12-01

    Abstract: 本发明公开了一种真空传感器,包括表面绝缘的衬底以及设置在该衬底上的阳极和阴极微电极,该阳极和阴极微电极与各自的电极导线相连,且阴极上覆盖有一维纳米材料。本发明利用了一维纳米材料具有优异的场发射性能,在较低的直流电压下即可产生较大的电流,既安全又便于测量。

    真空传感器
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102494837B

    公开(公告)日:2013-10-16

    申请号:CN201110391809.8

    申请日:2011-12-01

    Abstract: 本发明公开了一种真空传感器,包括表面绝缘的衬底以及设置在该衬底上的阳极和阴极微电极,该阳极和阴极微电极与各自的电极导线相连,且阴极上覆盖有一维纳米材料。本发明利用了一维纳米材料具有优异的场发射性能,在较低的直流电压下即可产生较大的电流,既安全又便于测量。

    实现氧化锌纳米线自组装的方法

    公开(公告)号:CN102140037B

    公开(公告)日:2012-11-28

    申请号:CN201110071916.2

    申请日:2011-03-24

    Abstract: 一种纳米处理技术领域的实现氧化锌纳米线自组装的方法,通过将硅片表面依次进行羟基化和氨基化处理后,浸泡于经十二烷基硫酸钠进行表面修饰后的氧化锌纳米线分散液,实现自组装。本发明简单、方便、高效,制备得到的氧化锌纳米线薄膜适宜制备高质量器件。

Patent Agency Ranking