快速制备SiC纳米线的方法

    公开(公告)号:CN101327929B

    公开(公告)日:2010-09-08

    申请号:CN200810041205.9

    申请日:2008-07-31

    Abstract: 一种纳米技术领域的快速制备SiC纳米线的方法。本发明步骤为:a、按照质量百分比将SiO粉为33.3%-66.7%、焦炭为33.3%-66.7%进行混合;b、将混合物放入球磨机,球磨,制备反应原料;c、将反应原料放入石墨管制作的坩埚中,置于密闭石英管内,使用真空泵抽真空;d、在石英管内通入氩气或者氮气,调节进气流量,控制管内气压在0.02-0.04MPa;e、采用石英管外缠绕的高频感应电源线圈对石墨坩埚进行加热,在3min内升至1600℃,保温;f、氩气或者氮气保护下随炉冷却至室温,即得到SiC纳米线。本发明解决了现有SiC纳米线制备中工艺复杂、成本高、周期长、条件难控制等问题。

    一种直立墙面上安装的太阳能电池条板模块装置

    公开(公告)号:CN102593210A

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201210048447.7

    申请日:2012-02-28

    CPC classification number: Y02B10/12 Y02E10/50 Y02P70/521

    Abstract: 本发明公开了一种直立墙面上安装的太阳能电池条板模块装置,包括若干个长度不同的太阳能电池条板模块,其中太阳能电池条板模块是由太阳电池组件串联,封装并组装到条板状的封装基板上而形成的。本发明还公开了一种上述直立墙面上安装的太阳能电池条板模块装置的安装方法,通过将太阳能电池条板模块装置的各个太阳能电池条板模块以预定的垂直间距,且相互平行并与水平面成预定角度,安装到竖直墙壁上,提高太阳能电池条板模块接受太阳光辐射和收集太阳光能的效率,从而降低太阳能发电系统的成本。

    基于介电泳技术的碳化硅纳米线定向有序排布方法

    公开(公告)号:CN101924028B

    公开(公告)日:2012-02-29

    申请号:CN201010270528.2

    申请日:2010-09-02

    Abstract: 一种纳米器件技术领域的基于介电泳技术的碳化硅纳米线定向有序排布方法,通过在硅片上采用标准的光刻和lift-off工艺制作出电极对,然后将碳化硅纳米线分散于溶剂中经进行低温超声分散得到稳定的碳化硅纳米线溶液,在电极对上施加交流信号电压后,将碳化硅纳米线溶液滴在电极对之间,使纳米线在电场力和力矩的作用下实现定向排布。本发明通过简单、方便、高效的工艺方法,实现碳化硅纳米线在电极间的定向排布。

    太阳能电池中等离子体的增效方法

    公开(公告)号:CN101692469A

    公开(公告)日:2010-04-07

    申请号:CN200910197191.4

    申请日:2009-10-15

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明涉及的是一种太阳能电池技术领域的太阳能电池中等离子体的增效方法,步骤为:第一步,在已成型的太阳能电池迎光面上,采用溅射的方法沉积一层均匀的金属薄膜;第二步,对太阳能电池进行退火处理,金属薄膜碎裂成金属颗粒,形成金属纳米岛表面;第三步,采用层压或涂覆方法在金属纳米岛表面附加一层金属氧化物介质保护层。本发明通过在太阳能电池迎光面上直接沉积纳米尺度的岛状金属颗粒;不会引入其他介质,实现了金属纳米岛与电池表面的紧密接触,提高了电池对太阳入射光的利用率和光电能量转换效率;保护层的附加,使等离子体增效的太阳能电池具备稳定性,可保持较高的效率,获得较长的使用寿命。

    无模板实现金属钴米线制备的方法

    公开(公告)号:CN101898251A

    公开(公告)日:2010-12-01

    申请号:CN201010255509.2

    申请日:2010-08-17

    Abstract: 一种纳米材料技术领域的无模板实现金属钴米线制备的方法,利用磁场的诱导作用,以乙二醇或水和乙醇的混合溶液为溶剂,以二价钴盐为主盐,以氢氧化钠调节溶液pH值,以水合肼为还原剂,在外加磁场的诱导下使钴离子还原生长成一维钴纳米线。本发明通过采用廉价无毒的化学试剂,简单易行的制备工艺,在磁场诱导下制备一维钴纳米材料,此方法成本低、无污染、设备和工艺条件简单,可实现大量制备。

    用于锂电池的二氧化锡纳米线阵列电极的制备方法

    公开(公告)号:CN101388458A

    公开(公告)日:2009-03-18

    申请号:CN200810201924.2

    申请日:2008-10-30

    Abstract: 本发明涉及一种能源技术领域的用于锂电池的二氧化锡纳米线阵列电极的制备方法,以锡粉为原料、IV~VI族单体作为纳米线生长方向诱导剂,以贵金属作为催化剂,在800~1300℃范围内,常压下热蒸发,在硅基底上得到二氧化锡纳米线阵列。本发明首次提出使用IV~VI族单体作为生长方向诱导试剂,使纳米线以气液固(VLS)机制在表面能较高的(001)面优先呈阵列生长,从而得到规则、有序、较长的二氧化锡纳米线阵列。该纳米线阵列适用于高性能锂电池电极。

    金属镍纳米线的化学制备方法

    公开(公告)号:CN101342598A

    公开(公告)日:2009-01-14

    申请号:CN200810042166.4

    申请日:2008-08-28

    Abstract: 一种纳米技术领域的金属镍纳米线的化学制备方法,本发明以水和乙醇的混合溶液为溶剂配制镍离子溶液,并与氢氧化钠溶液反应生成氢氧化镍沉淀。使用水合肼溶解沉淀,并在加热条件下和外加均匀磁场中使镍离子被还原,并组装为镍纳米线。与现有技术相比,采用本发明能够制备直径为217~1900nm,长度能达到15~69μm,长径比为20~300的镍纳米线,其成分为纯镍,不需要预先制备模板,工艺过程简单,周期短,制备成本低,能够实现大量制备。

    基于介电泳技术的碳化硅纳米线定向有序排布方法

    公开(公告)号:CN101924028A

    公开(公告)日:2010-12-22

    申请号:CN201010270528.2

    申请日:2010-09-02

    Abstract: 一种纳米器件技术领域的基于介电泳技术的碳化硅纳米线定向有序排布方法,通过在硅片上采用标准的光刻和lift-off工艺制作出电极对,然后将碳化硅纳米线分散于溶剂中经进行低温超声分散得到稳定的碳化硅纳米线溶液,在电极对上施加交流信号电压后,将碳化硅纳米线溶液滴在电极对之间,使纳米线在电场力和力矩的作用下实现定向排布。本发明通过简单、方便、高效的工艺方法,实现碳化硅纳米线在电极间的定向排布。

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