Invention Grant
CN111983754B 基于超表面结构的超紧凑硅波导模式转换器件
失效 - 权利终止
- Patent Title: 基于超表面结构的超紧凑硅波导模式转换器件
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Application No.: CN201910432113.1Application Date: 2019-05-23
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Publication No.: CN111983754BPublication Date: 2021-10-26
- Inventor: 王洪炜 , 张永 , 何宇 , 孙璐 , 苏翼凯
- Applicant: 上海交通大学
- Applicant Address: 上海市闵行区东川路800号
- Assignee: 上海交通大学
- Current Assignee: 上海交通大学
- Current Assignee Address: 上海市闵行区东川路800号
- Agency: 上海交达专利事务所
- Agent 王毓理; 王锡麟
- Main IPC: G02B6/14
- IPC: G02B6/14
Abstract:
一种紧凑硅波导模式转换器，为基于具有倾斜的亚波长周期性扰动的电介质超曲面结构，包括：在SOI基片上蚀刻形状的若干个周期个数，周期为Λ、占空比、倾斜角度为θ的斜向亚波长扰动的顶层硅结构；本发明采用具有倾斜的亚波长扰动的全介质超表面结构，可以实现紧凑的基模到任意高阶模的硅波导模式转换，能够大幅度提升光通信容量。
Public/Granted literature
- CN111983754A 基于超表面结构的超紧凑硅波导模式转换器件 Public/Granted day:2020-11-24
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