Invention Publication
- Patent Title: 基于拓扑慢光波导的薄膜铌酸锂电光调制器
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Application No.: CN202310915921.XApplication Date: 2023-07-25
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Publication No.: CN117031851APublication Date: 2023-11-10
- Inventor: 张永 , 沈健 , 张磊 , 苏翼凯
- Applicant: 上海交通大学
- Applicant Address: 上海市闵行区东川路800号
- Assignee: 上海交通大学
- Current Assignee: 上海交通大学
- Current Assignee Address: 上海市闵行区东川路800号
- Agency: 上海交达专利事务所
- Agent 王毓理; 王锡麟
- Main IPC: G02F1/21
- IPC: G02F1/21 ; G02F1/225 ; G02F1/03 ; G02F1/035 ; G02B6/122

Abstract:
一种基于拓扑慢光波导的薄膜铌酸锂电光调制器,包括:分段式电容型慢波电极和位于其上的一对平行设置的拓扑慢光波导,其中:拓扑慢光波导的两端分别设有多模干涉仪,本发明通过拓扑慢光效应的引入,增强光与介质的相互作用,增大光传输的群折射率,大大提高调制器的调制效率,另一方面,由于拓扑慢光效应引入导致电光速度失配,使得关键指标调制带宽受限。因此提出使用分段式电容型慢波电极,增大微波折射率,实现电光速度和阻抗的匹配,获得超大的调制带宽。
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