公开(公告)号：CN101327929A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810041205.9

申请日：2008-07-31

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 张亚非 ,  王峰磊 ,  张丽英

IPC: C01B31/36

Abstract: 一种纳米技术领域的快速制备SiC纳米线的方法。本发明步骤为：a.按照质量百分比将SiO粉为33.3％－66.7％、焦炭为33.3％－66.7％进行混合；b.将混合物放入球磨机，球磨，制备反应原料；c.将反应原料放入石墨管制作的坩埚中，置于密闭石英管内，使用真空泵抽真空；d.在石英管内通入氩气或者氮气，调节进气流量，控制管内气压在0.02－0.04MPa；e.采用石英管外缠绕的高频感应电源线圈对石墨坩埚进行加热，在3min内升至1600℃，保温；f.氩气或者氮气保护下随炉冷却至室温，即得到SiC纳米线。本发明解决了现有SiC纳米线制备中工艺复杂、成本高、周期长、条件难控制等问题。

公开(公告)号：CN101327929B

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN200810041205.9

申请日：2008-07-31

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 张亚非 ,  王峰磊 ,  张丽英

IPC: C01B31/36

Abstract: 一种纳米技术领域的快速制备SiC纳米线的方法。本发明步骤为：a、按照质量百分比将SiO粉为33.3％-66.7％、焦炭为33.3％-66.7％进行混合；b、将混合物放入球磨机，球磨，制备反应原料；c、将反应原料放入石墨管制作的坩埚中，置于密闭石英管内，使用真空泵抽真空；d、在石英管内通入氩气或者氮气，调节进气流量，控制管内气压在0.02-0.04MPa；e、采用石英管外缠绕的高频感应电源线圈对石墨坩埚进行加热，在3min内升至1600℃，保温；f、氩气或者氮气保护下随炉冷却至室温，即得到SiC纳米线。本发明解决了现有SiC纳米线制备中工艺复杂、成本高、周期长、条件难控制等问题。