公开(公告)号：CN119179138A

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202411402035.8

申请日：2024-10-09

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 薛崔伟 ,  程秀兰 ,  廖汝俊 ,  段华南 ,  金鑫 ,  瞿敏妮

IPC: G02B6/34 ,  G02B6/124 ,  G02B6/122 ,  G02B6/12 ,  G02B6/13 ,  G02B6/136

Abstract: 本发明提供了一种基于随机结构光栅的垂直入射铌酸锂光栅耦合器及制备方法，包括：硅衬底、埋氧层、铌酸锂层以及二氧化硅上包层；埋氧层一侧连接硅衬底，另一侧连接铌酸锂层；铌酸锂层包括随机结构光栅、锥形体以及直波导；直波导通过两侧锥形体连接两侧对称的随机结构光栅。本发明在不引入额外金属反射镜的条件下设计出了一种基于随机结构光栅的垂直入射铌酸锂光栅耦合器，极大降低了背反射从而提升了耦合效率，并且垂直耦合更易于芯片后道的封装。