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公开(公告)号：CN113373451A
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN202110482951.7
申请日：2021-04-30
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种镁合金微弧氧化膜层的去除方法，该去除方法包括：将需要退膜的镁合金微弧氧化样品放入含有微弧氧化膜层的退膜溶液的处理槽中，之后置于去离子水中进行水洗，去除试样表面的腐蚀产物，得到已退膜试样；将已退膜试样置入含光亮剂的处理槽中，置于去离子水中进行水洗，并烘干，得到光亮的去除微弧氧化膜的镁合金试样；本发明采用微弧氧化膜层去除工艺，镁合金基体表面平整光滑，基体表面无残余膜层及其它腐蚀产物产生，可直接进行二次微弧氧化；该膜层的去除方法退膜速度快且退膜溶液不含环保限制元素、成分简单、成本低廉；本发明的微弧氧化膜层的退膜方法简单，与常规的通过打磨方法去除膜层的方法相比，去除效率高、操作方便。
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公开(公告)号：CN113373451B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN202110482951.7
申请日：2021-04-30
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种镁合金微弧氧化膜层的去除方法，该去除方法包括：将需要退膜的镁合金微弧氧化样品放入含有微弧氧化膜层的退膜溶液的处理槽中，之后置于去离子水中进行水洗，去除试样表面的腐蚀产物，得到已退膜试样；将已退膜试样置入含光亮剂的处理槽中，置于去离子水中进行水洗，并烘干，得到光亮的去除微弧氧化膜的镁合金试样；本发明采用微弧氧化膜层去除工艺，镁合金基体表面平整光滑，基体表面无残余膜层及其它腐蚀产物产生，可直接进行二次微弧氧化；该膜层的去除方法退膜速度快且退膜溶液不含环保限制元素、成分简单、成本低廉；本发明的微弧氧化膜层的退膜方法简单，与常规的通过打磨方法去除膜层的方法相比，去除效率高、操作方便。
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公开(公告)号：CN113802166A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111148734.0
申请日：2021-09-29
Applicant: 上海交通大学
IPC: C25D11/30
Abstract: 本发明提供了一种含LPSO相的Mg‑Gd‑Y‑Zn‑Zr镁合金的微弧氧化处理方法，该处理方法包括：将含LPSO相的Mg‑Gd‑Y‑Zn‑Zr镁合金设计处理得到待氧化试样；将待氧化试样置于微弧氧化前处理液中超声处理；取出后清洗，并放置烘箱进行烘干，得到烘干后的待氧化试样；并置入含有微弧氧化电解水溶液的电解槽内，进行微弧氧化处理即可；本发明采用微弧氧化工艺，在硅酸盐体系中加入了成膜致密剂和乙二胺四乙酸二钠，使含LPSO相的Mg‑Gd‑Y‑Zn‑Zr镁合金表面形成稳定的微弧氧化膜层；本发明实现含LPSO相的Mg‑Gd‑Y‑Zn‑Zr镁合金表面微弧氧化陶瓷膜制备，该方法成膜时间短、工序简单、操作方便。
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公开(公告)号：CN113755927A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202111148732.1
申请日：2021-09-29
Applicant: 上海交通大学
Abstract: 本发明提供了一种镁钕合金零件及其复合氧化处理方法，该处理方法包括：将镁钕合金零件进行简单的除油处理后，将零件直接置于导电氧化液中，生成导电氧化膜，然后将镁钕合金需要保留导电的部位进行涂胶保护，之后进行微弧氧化处理，氧化时，以镁钕合金零件作为阳极，以不锈钢作为阴极，进行氧化处理，形成微弧氧化膜层；由于微弧氧化膜层厚度可控，通过此种方法，即保证了高精度尺寸零件的装配需求，又在零件表面获得导电氧化微弧氧化膜涂层，这种涂层即保证了零件局部导电的需求，同时耐蚀性也得到大幅的提高。
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