公开(公告)号：CN101957559A

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN201010266692.6

申请日：2010-08-30

Applicant: 上海交通大学 ,  日立化成工业株式会社

Inventor： 林宏 ,  万霞 ,  姜学松 ,  王庆康 ,  印杰 ,  锻治诚

IPC: G03F7/027 ,  C07D311/18 ,  G03F7/00 ,  H01L21/027

Abstract: 一种半导体制造技术领域的光可逆的纳米压印光刻胶及其制备和应用方法，其光刻胶的组分及质量百分比含量为：光可逆交联剂5～50％、光聚合性化合物5～80％以及为光聚合引发剂或光产酸剂0.1％～15％，其中光可逆交联剂的结构式为：本发明制备得到光刻胶的黏度低，便于旋涂涂覆与压印工艺操作，光可逆且抗刻蚀好。

公开(公告)号：CN103087087A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201110332455.X

申请日：2011-10-27

Applicant: 上海交通大学 ,  日立化成工业株式会社

Inventor： 林宏 ,  姜学松 ,  印杰 ,  锻治诚

IPC: C07F7/21 ,  G03F7/004 ,  G03F7/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: C07F7/21 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0275 ,  G03F7/0757

Abstract: 本发明提供一种通式(1)所示的含巯基多官能团的低倍多聚硅氧烷化合物及其用于制备压印的软模板的组合物以及压印工艺，(SiO1.5R1)m·(SiO1.5CH2CH2CH2SR2)n (1)其中R1为-CH2-CH2-CH2-SH，m表示3～12的整数；R2分别为无取代或者被取代基取代的烷基、无取代或者被取代基取代的烷氧基、无取代或者被取代基取代的酯基和无取代或者被取代基取代的芳香基，所述取代基为卤素，n表示1～12的整数；该组合物是一种高憎水性光刻胶，将其应用于纳米压印模板的制备中，会得到高精度的结构，提高了模板重复利用率。

公开(公告)号：CN102174059B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201110042711.1

申请日：2011-02-23

Applicant: 上海交通大学 ,  日立化成工业株式会社

Inventor： 林宏 ,  姜学松 ,  孙利达 ,  王瑞 ,  印杰 ,  锻治诚

IPC: C07F7/21 ,  G03F7/075

Abstract: 一种微纳米加工技术领域含巯基的低倍多聚硅氧烷化合物及其紫外光刻胶组合物以及压印工艺，包含如通式(1)所示的含巯基的低倍多聚硅氧烷化合物及其紫外光刻胶组合物以及压印工艺，该组合物是低收缩、低粘度、高抗氧刻蚀的紫外光刻胶组合物，(SiO1.5R1)m·(SiO1.5R2)n (1)其中R1为-CH2-CH2-CH2-SH；R2分别为无取代或者被取代基取代的烷基、无取代或者被取代基取代的芳香基、无取代或者被取代基取代的烷氧基，所述取代基为卤素，m表示3～12的整数，n表示0～12的整数。

公开(公告)号：CN102174059A

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN201110042711.1

申请日：2011-02-23

Applicant: 上海交通大学 ,  日立化成工业株式会社

Inventor： 林宏 ,  姜学松 ,  孙利达 ,  王瑞 ,  印杰 ,  锻治诚

IPC: C07F7/21 ,  G03F7/075

Abstract: 一种微纳米加工技术领域含巯基的低倍多聚硅氧烷化合物及其紫外光刻胶组合物以及压印工艺，包含如通式(1)所示的含巯基的低倍多聚硅氧烷化合物及其紫外光刻胶组合物以及压印工艺，该组合物是低收缩、低粘度、高抗氧刻蚀的紫外光刻胶组合物，(SiO1.5R1)m·(SiO1.5R2)n (1)，其中R1为-CH2-CH2-CH2-SH；R2分别为无取代或者被取代基取代的烷基、无取代或者被取代基取代的芳香基、无取代或者被取代基取代的烷氧基，所述取代基为卤素，m表示3～12的整数，n表示0～12的整数。

公开(公告)号：CN103087087B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201110332455.X

申请日：2011-10-27

Applicant: 上海交通大学 ,  日立化成株式会社

Inventor： 林宏 ,  姜学松 ,  印杰 ,  锻治诚

IPC: C07F7/21 ,  G03F7/004 ,  G03F7/027 ,  G03F7/00

CPC classification number: C07F7/21 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0275 ,  G03F7/0757

Abstract: 本发明提供一种通式(1)所示的含巯基多官能团的低倍多聚硅氧烷化合物及其用于制备压印的软模板的组合物以及压印工艺，(SiO1.5R1)m·(SiO1.5CH2CH2CH2SR2)n (1)其中R1为-CH2-CH2-CH2-SH，m表示3～12的整数；R2分别为无取代或者被取代基取代的烷基、无取代或者被取代基取代的烷氧基、无取代或者被取代基取代的酯基和无取代或者被取代基取代的芳香基，所述取代基为卤素，n表示1～12的整数；该组合物是一种高憎水性光刻胶，将其应用于纳米压印模板的制备中，会得到高精度的结构，提高了模板重复利用率。