公开(公告)号：CN1279548C

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：CN200410035179.0

申请日：1998-06-17

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 林年治 ,  冈友子 ,  西原明

IPC: H01B1/00 ,  H01B1/20 ,  H01B5/14 ,  C09D5/24 ,  C09J9/02 ,  C03C17/34 ,  H01J9/20 ,  B05D1/02

CPC classification number: H01B1/22 ,  Y10T428/2991 ,  Y10T428/2995

Abstract: 本发明公开了一种形成透明导电膜的组合物，其中该组合物包含分散溶液，该分散溶液由平均初级颗粒尺寸为5-50纳米的细金属粉末颗粒分散在含分散剂的溶剂中而制成；所述的细金属粉末形成二级颗粒，该二级颗粒的颗粒尺寸分布是10%累积颗粒尺寸最高达60纳米，50%累积颗粒尺寸为50～150纳米和90%累积颗粒尺寸为80～500纳米。

公开(公告)号：CN1222483C

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN98117535.X

申请日：1998-06-17

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 林年治 ,  冈友子 ,  西原明

IPC: C03C17/22 ,  C09D5/24

CPC classification number: H01B1/22 ,  Y10T428/2991 ,  Y10T428/2995

Abstract: 本发明涉及低电阻和低反射率的透明导电膜，它具有高反射率的底涂层，其中含细金属粉末和黑色粉末，以及二氧化硅为基的低反射率上涂层。底涂层表面呈凹凸状。凸部平均高度为20-300纳米，平均厚度50-150纳米。凹部平均厚度为凸部厚度的50-85%。将细金属粉末和黑色粉末在溶剂中的分散溶液涂在透明基体上、通过干燥形成无粘结剂的导电膜。在该膜上涂覆烷氧基硅烷或其水解产物，形成二氧化硅为基的导电膜。

公开(公告)号：CN1287391C

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200410035178.6

申请日：1998-06-17

Applicant: 三菱综合材料株式会社

Inventor： 林年治 ,  冈友子 ,  西原明

IPC: H01B1/00 ,  H01B1/20 ,  H01B5/14 ,  C09D5/24 ,  C09J9/02 ,  C03C17/34 ,  H01J9/02 ,  B05D1/02

CPC classification number: H01B1/22 ,  Y10T428/2991 ,  Y10T428/2995

Abstract: 本发明公开了一种形成透明黑色导电膜的组合物，该组合物包含通过将细金属粉末和黑粉末分散在溶剂中而形成的分散溶液，其中所述黑粉末为钛黑、石墨粉末、磁铁矿粉或碳黑，所述黑粉末的平均初级颗粒尺寸最高达0.1微米，所述细金属粉末包括一种或多种选自由Fe、Co、Ni、Cr、W、Al、In、Zn、Pb、Sb、Bi、Sn、Ce、Cd、Pd、Cu、Rh、Ru、Pt、Ag和Au组成的该组中的金属和/或它们的合金，和/或这些金属和/或合金的混合物，所述细金属粉末的平均初级颗粒尺寸最高达100纳米，细金属粉末和黑色粉末的混合比按重量%计为5∶95～97∶3，并且细金属粉末和黑色粉末的总量是0.5～20重量%。