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公开(公告)号：CN1287391C
公开(公告)日：2006-11-29
申请号：CN200410035178.6
申请日：1998-06-17
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01B1/22 , Y10T428/2991 , Y10T428/2995
Abstract: 本发明公开了一种形成透明黑色导电膜的组合物，该组合物包含通过将细金属粉末和黑粉末分散在溶剂中而形成的分散溶液，其中所述黑粉末为钛黑、石墨粉末、磁铁矿粉或碳黑，所述黑粉末的平均初级颗粒尺寸最高达0.1微米，所述细金属粉末包括一种或多种选自由Fe、Co、Ni、Cr、W、Al、In、Zn、Pb、Sb、Bi、Sn、Ce、Cd、Pd、Cu、Rh、Ru、Pt、Ag和Au组成的该组中的金属和/或它们的合金，和/或这些金属和/或合金的混合物，所述细金属粉末的平均初级颗粒尺寸最高达100纳米，细金属粉末和黑色粉末的混合比按重量%计为5∶95～97∶3，并且细金属粉末和黑色粉末的总量是0.5～20重量%。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1540677A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN200410035178.6
申请日：1998-06-17
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01B1/22 , Y10T428/2991 , Y10T428/2995
Abstract: 本发明公开了一种双层结构的低电阻和低反射率的透明导电膜，其包括高反射率的在二氧化硅基体中含细金属粉末的底涂层和低反射率的基于二氧化硅的涂层，其适合于赋予CRT电磁波屏蔽性能和防眩性能。导电底涂层除细金属粉末外还可以包括一种黑色粉末(例如钛黑)。在该底涂层中，可以这样分布细金属粉末的二级颗粒以便形成具有其中不含细金属粉末的孔的二维网状结构。另外，底涂层的表面上具有凹凸不平之处：底涂层凸部分的平均厚度是50～150纳米和凹部分的平均厚度是凸部分平均厚度的50～85％，凸部分的平均高度是20～300纳米。这里也公开了各种不同的形成底涂层的涂层材料，每一种涂层材料均包括分散溶液，在该分散溶液中细金属粉末分散在含或不含烷氧基硅烷的溶剂中。通过在基体上涂覆该涂层材料，干燥所涂覆的膜，并且在该膜上涂覆烷氧基硅烷或其水解产物以得到本发明透明导电膜。
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公开(公告)号：CN1279548C
公开(公告)日：2006-10-11
申请号：CN200410035179.0
申请日：1998-06-17
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01B1/22 , Y10T428/2991 , Y10T428/2995
Abstract: 本发明公开了一种形成透明导电膜的组合物，其中该组合物包含分散溶液，该分散溶液由平均初级颗粒尺寸为5-50纳米的细金属粉末颗粒分散在含分散剂的溶剂中而制成；所述的细金属粉末形成二级颗粒，该二级颗粒的颗粒尺寸分布是10%累积颗粒尺寸最高达60纳米，50%累积颗粒尺寸为50～150纳米和90%累积颗粒尺寸为80～500纳米。
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公开(公告)号：CN1222483C
公开(公告)日：2005-10-12
申请号：CN98117535.X
申请日：1998-06-17
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01B1/22 , Y10T428/2991 , Y10T428/2995
Abstract: 本发明涉及低电阻和低反射率的透明导电膜，它具有高反射率的底涂层，其中含细金属粉末和黑色粉末，以及二氧化硅为基的低反射率上涂层。底涂层表面呈凹凸状。凸部平均高度为20-300纳米，平均厚度50-150纳米。凹部平均厚度为凸部厚度的50-85%。将细金属粉末和黑色粉末在溶剂中的分散溶液涂在透明基体上、通过干燥形成无粘结剂的导电膜。在该膜上涂覆烷氧基硅烷或其水解产物，形成二氧化硅为基的导电膜。
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公开(公告)号：CN1540678A
公开(公告)日：2004-10-27
申请号：CN200410035179.0
申请日：1998-06-17
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01B1/22 , Y10T428/2991 , Y10T428/2995
Abstract: 本发明公开了一种双层结构的低电阻和低反射率的透明导电膜，其包括高反射率的在二氧化硅基体中含细金属粉末的底涂层和低反射率的基于二氧化硅的涂层，其适合于赋予CRT电磁波屏蔽性能和防眩性能。导电底涂层除细金属粉末外还可以包括一种黑色粉末(例如钛黑)。在该底涂层中，可以这样分布细金属粉末的二级颗粒以便形成具有其中不含细金属粉末的孔的二维网状结构。另外，底涂层的表面上具有凹凸不平之处：底涂层凸部分的平均厚度是50～150纳米和凹部分的平均厚度是凸部分平均厚度的50～85％，凸部分的平均高度是20～300纳米。这里也公开了各种不同的形成底涂层的涂层材料，每一种涂层材料均包括分散溶液，在该分散溶液中细金属粉末分散在含或不含烷氧基硅烷的溶剂中。通过在基体上涂覆该涂层材料，干燥所涂覆的膜，并且在该膜上涂覆烷氧基硅烷或其水解产物以得到本发明透明导电膜。
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公开(公告)号：CN1220291A
公开(公告)日：1999-06-23
申请号：CN98117535.X
申请日：1998-06-17
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01B1/22 , Y10T428/2991 , Y10T428/2995
Abstract: 本发明涉及低电阻和低反射率的透明导电膜,它具有高反射率的底涂层,其中含细金属粉末和黑色粉末,以及二氧化硅为基的低反射率上涂层。底涂层表面呈凹凸状。凸部平均高度为20－300纳米,平均厚度50－150纳米。凹部平均厚度为凸部厚度的50－85%。将细金属粉末和黑色粉末在溶剂中的分散溶液涂在透明基体上、通过干燥形成无粘结剂的导电膜。在该膜上涂覆烷氧基硅烷或其水解产物,形成二氧化硅为基的导电膜。
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