公开(公告)号：CN113764264A

公开(公告)日：2021-12-07

申请号：CN202110593866.8

申请日：2021-05-28

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 三神和章 ,  南竹春彦 ,  金田和德

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/66 ,  H01L21/331 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法及半导体制造装置。提供在进行激光退火处理时针对多个半导体基板进行厚度的测定的情况下，利用进行厚度测定的半导体基板有多个这一点的半导体装置的制造方法。针对多个半导体基板中的至少1个半导体基板，各自基于该半导体基板的厚度的测定结果的数据即自身厚度数据、多个半导体基板中的该半导体基板之外的至少1个半导体基板的厚度的测定结果的数据即参考厚度数据，对照射至该半导体基板的激光进行控制而进行激光退火处理。

公开(公告)号：CN105830220B

公开(公告)日：2019-05-28

申请号：CN201380081607.0

申请日：2013-12-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 川濑祐介 ,  金田和德 ,  凑忠玄

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L21/0415 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66333

Abstract: 具有：第1工序，在具有第1主面和第2主面的半导体衬底的该第2主面，通过加速能量不同的多次离子注入而注入第1导电型杂质，在该半导体衬底形成第1杂质区域；第2工序，在该第2主面，以比该多次离子注入低的加速能量对第2导电型杂质进行离子注入，在该半导体衬底，以与该第1杂质区域之间余留未注入杂质的无注入区域的方式形成第2杂质区域；热处理工序，对该半导体衬底实施热处理，以由该第1导电型杂质形成缓冲层，由该第2导电型杂质形成集电极层，在该缓冲层与该集电极层之间余留没有发生该第1导电型杂质和该第2导电型杂质的扩散的无扩散区域；以及形成与该集电极层接触的集电极电极的工序。

公开(公告)号：CN108701594A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780014830.1

申请日：2017-02-23

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 物种武士 ,  川濑佑介 ,  凑忠玄 ,  竹野祥瑞 ,  永山贵久 ,  南竹春彦 ,  金田和德 ,  巽裕章

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L21/268 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/0604 ,  B23K26/0648 ,  B23K26/0823 ,  B23K26/0869 ,  B23K26/0876 ,  B23K26/352 ,  B23K26/705 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/56 ,  H01L21/26513

Abstract: 热处理装置具备振荡得到激光的激光振荡器(1)、使从激光振荡器(1)振荡得到的激光向被处理物(5)照射的一个以上的光学系统(2)、以及供被处理物(5)搭载的旋转台(3)，在将通过激光的一次照射得到的被处理物(5)的激活率达到目标值的被处理物(5)的达到温度设为第1温度时，将比第1温度低的第2温度设定为被处理物(5)的达到温度的目标值，从光学系统(2)对被处理物(5)反复进行两次以上激光的照射。

公开(公告)号：CN105074875A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201380074352.5

申请日：2013-03-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 金田和德 ,  凑忠玄 ,  川濑祐介

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/268 ,  B23K26/0604 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/082 ,  B23K26/0853 ,  H01L21/324 ,  H01L29/66333

Abstract: 本发明所涉及的激光退火装置的特征在于，具有：载置台，其载置被加热物；第1激光元件，其放射第1连续激光；第1光学系统，其将该第1连续激光向该被加热物引导，在该被加热物上形成第1照射区域；第2激光元件，其放射与该第1连续激光相比波长较短的第2连续激光；第2光学系统，其将该第2连续激光向该被加热物引导，在该被加热物上形成第2照射区域；以及系统控制器，其以下述方式使该第1照射区域和该第2照射区域进行扫描，即，针对该被加热物的各部分，在该第2照射区域进行扫描前，该第1照射区域的至少一部分进行扫描。

公开(公告)号：CN116913767A

公开(公告)日：2023-10-20

申请号：CN202310398499.5

申请日：2023-04-14

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 三神和章 ,  石井智洋 ,  中村胜光 ,  金田和德

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

Abstract: 提供半导体装置的制造方法及制造装置，即使对于产生了裂缝的基板，也能够对不良情况进行抑制，并且进行激光退火处理。对在基板的主面产生的裂缝进行检测，以向包含检测出的裂缝的裂缝区域内的单位面积照射的退火用的激光的光量的时间积分小于向与裂缝区域不同的区域内的单位面积照射的激光的光量的时间积分的方式，使激光在基板的主面之上扫描，对基板进行激光退火处理。

公开(公告)号：CN110214364A

公开(公告)日：2019-09-06

申请号：CN201880007204.4

申请日：2018-01-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 物种武士 ,  川濑佑介 ,  南竹春彦 ,  巽裕章 ,  金田和德

IPC: H01L21/268 ,  C21D1/34 ,  G01K11/12

Abstract: 热处理装置(21)具备：振荡出激光(L)的激光振荡部(1)、保持被激光(L)照射的照射对象物(31)的工件台、将从激光振荡部(1)振荡出的激光(L)引导至照射对象物(31)的光学系统(2)、以及使光学系统(2)与照射对象物(31)的位置关系相对地变化的移动部。另外，热处理装置(21)具备：检测部(9)，检测激光(L)在照射对象物(31)的表面被反射后的第一反射光(R1)的功率；以及判定部(10)，基于由检测部(9)检测出的第一反射光(R1)的功率的检测值，判定在照射对象物(31)中被激光(L)照射的区域的表面温度有无变化。

公开(公告)号：CN105074875B

公开(公告)日：2018-09-18

申请号：CN201380074352.5

申请日：2013-03-07

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 金田和德 ,  凑忠玄 ,  川濑祐介

IPC: H01L21/268 ,  H01L21/20

Abstract: 本发明所涉及的激光退火装置的特征在于，具有：载置台，其载置被加热物；第1激光元件，其放射第1连续激光；第1光学系统，其将该第1连续激光向该被加热物引导，在该被加热物上形成第1照射区域；第2激光元件，其放射与该第1连续激光相比波长较短的第2连续激光；第2光学系统，其将该第2连续激光向该被加热物引导，在该被加热物上形成第2照射区域；以及系统控制器，其以下述方式使该第1照射区域和该第2照射区域进行扫描，即，针对该被加热物的各部分，在该第2照射区域进行扫描前，该第1照射区域的至少一部分进行扫描。

公开(公告)号：CN105830220A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201380081607.0

申请日：2013-12-13

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 川濑祐介 ,  金田和德 ,  凑忠玄

IPC: H01L29/739 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L21/0415 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/167 ,  H01L29/66333

Abstract: 具有：第1工序，在具有第1主面和第2主面的半导体衬底的该第2主面，通过加速能量不同的多次离子注入而注入第1导电型杂质，在该半导体衬底形成第1杂质区域；第2工序，在该第2主面，以比该多次离子注入低的加速能量对第2导电型杂质进行离子注入，在该半导体衬底，以与该第1杂质区域之间余留未注入杂质的无注入区域的方式形成第2杂质区域；热处理工序，对该半导体衬底实施热处理，以由该第1导电型杂质形成缓冲层，由该第2导电型杂质形成集电极层，在该缓冲层与该集电极层之间余留没有发生该第1导电型杂质和该第2导电型杂质的扩散的无扩散区域；以及形成与该集电极层接触的集电极电极的工序。