公开(公告)号：CN105679731B

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201610089977.4

申请日：2016-02-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中村浩之 ,  冈田章 ,  野尻荣治

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/482

Abstract: 在半导体装置(1)中，在半导体基板(3)的表面侧的区域配置有元件形成区域，在该元件形成区域形成有对电流进行控制的半导体元件。终端区域以包围该元件形成区域的方式而配置。在栅极电极(9)配置有针抵接区域(13)和导线区域(15)。针抵接区域和导线区域由形成于栅极电极的表面处的绝缘体(17)进行了分隔。因此，针抵接区域的表面和导线区域的表面位于相同的高度。

公开(公告)号：CN105679731A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201610089977.4

申请日：2016-02-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 中村浩之 ,  冈田章 ,  野尻荣治

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/482

CPC classification number: H01L29/7395 ,  H01L22/32 ,  H01L23/544 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/4238 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2224/0217 ,  H01L2224/03921 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/8513 ,  H01L2924/00014 ,  H01L23/485 ,  H01L23/482

Abstract: 在半导体装置(1)中，在半导体基板(3)的表面侧的区域配置有元件形成区域，在该元件形成区域形成有对电流进行控制的半导体元件。终端区域以包围该元件形成区域的方式而配置。在栅极电极(9)配置有针抵接区域(13)和导线区域(15)。针抵接区域和导线区域由形成于栅极电极的表面处的绝缘体(17)进行了分隔。因此，针抵接区域的表面和导线区域的表面位于相同的高度。