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公开(公告)号：CN106568992B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201610873769.3
申请日：2016-09-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01R1/067
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够容易且高精度地对探针前端的接触部的位置进行检查的探针位置检查装置、半导体装置的检查装置及半导体装置的检查方法。探针位置检查装置(100)具备：透明板(17)；照相机(20)，其对透明板(17)的一个面进行拍摄；以及压力被动部件(25)，其对透明板(17)的另一个面进行覆盖，在半导体装置(5)的评价时使用的探针(10)的前端隔着压力被动部件(25)按压至透明板(17)的另一个面侧，探针位置检查装置还具备图像处理部(21)，该图像处理部(21)对照相机(20)拍摄到的图像进行处理，而对透明板(17)的面内的探针(10)的位置进行检测。
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公开(公告)号：CN106104780B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201480076889.X
申请日：2014-03-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 目的在于提供一种能够抑制评价时的放电的技术。半导体装置(1)具有：半导体基体(11)，其具有元件区域(11a)以及末端区域(11b)；多个电极焊盘(12)，它们配置于半导体基体(11)的元件区域(11a)之中的与末端区域(11b)分离的区域之上；绝缘性的保护膜(13)，其在各电极焊盘(12)之上设置有开口部(13a)；以及多个导电层(14)，其配置于保护膜(13)之上，经由开口部(13a)而与多个电极焊盘(12)分别电连接。在俯视观察时，各导电层(14)延伸设置至末端区域(11b)或者其附近。
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公开(公告)号：CN103367218B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201210434807.7
申请日：2012-11-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67748 , H01L21/6838 , H01L21/68707 , Y10T29/49998
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种能够以低成本在不使晶片变形的情况下以充分的吸附压力将晶片吸附于台的晶片吸附方法、晶片吸附台、以及晶片吸附系统。本申请发明的晶片吸附台是在内部具有空间的晶片吸附台，具备：装载面，装载晶片；多孔质部，以表面露出于该装载面、背面与该空间相接的方式形成在该晶片吸附台内；以及连结部，与该空间连接并且延伸至该晶片吸附台外部。而且，该多孔质部的特征在于越是远离该连结部的部分形成得越薄。
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公开(公告)号：CN103454460B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310214803.2
申请日：2013-06-03
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G01R1/06711 , G01R1/067 , G01R31/2863
Abstract: 本发明以提供能够容易地抑制绝缘基板的膨胀、翘曲等的检查装置及检查方法为目的。本发明所涉及的检查装置，具备：探针（14），具有固定于绝缘基板（10）的主体部（16）、与该主体部（16）的一端连接且配置于该绝缘基板（10）的背面侧的前端部（20）、和与该主体部（16）的另一端连接且配置于该绝缘基板（10）的表面侧的连接部（22）；以及与该连接部（22）相接触的散热端子（24）。而且，使电流经由该散热端子（24）及该探针（14）流向被测定物，该散热端子（24）散发来自该探针（14）的热量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104183516A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410174467.8
申请日：2014-04-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01R31/2891 , G01B11/14 , G01B11/30 , G01R31/2831 , H01L21/681
Abstract: 一种半导体装置的评价装置，其对形成在半导体衬底(100)上的半导体装置进行电气评价，该半导体装置的评价装置具有：保持部(2)，其将半导体衬底(100)保持在表面(2A)上；以及检测部(3)，其对保持部(2)的表面(2A)的凹凸进行检测。保持部(2)在表面(2A)上包含多个槽部(20)，多个槽部(20)形成为，在将半导体衬底(100)保持在表面(2A)上时，与半导体衬底(100)的外周重合，并且，一部分与半导体衬底(100)的外周相比位于外侧。
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公开(公告)号：CN103608896A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201180071555.X
申请日：2011-06-10
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , H01L23/52 , H01L27/12 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/26506 , H01L21/84
Abstract: 形成在硅衬底（3）上隔着硅氧化膜（4）而设置有硅层（5）的SOI衬底（6）。然后，在硅层（5）的表面形成多个半导体元件（8）。然后，在绝缘性衬底（10）的表面形成配线（11）。然后，使SOI衬底（6）和绝缘性衬底（10）贴合，以将多个半导体元件（8）和配线（11）连接。然后，向硅衬底（3）注入氢离子和惰性气体离子中的至少一种而形成脆化层（12）。然后，以脆化层（12）为边界将硅衬底（3）的一部分剥离。
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公开(公告)号：CN103367218A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210434807.7
申请日：2012-11-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67748 , H01L21/6838 , H01L21/68707 , Y10T29/49998
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种能够以低成本在不使晶片变形的情况下以充分的吸附压力将晶片吸附于台的晶片吸附方法、晶片吸附台、以及晶片吸附系统。本申请发明的晶片吸附台是在内部具有空间的晶片吸附台，具备：装载面，装载晶片；多孔质部，以表面露出于该装载面、背面与该空间相接的方式形成在该晶片吸附台内；以及连结部，与该空间连接并且延伸至该晶片吸附台外部。而且，该多孔质部的特征在于越是远离该连结部的部分形成得越薄。
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公开(公告)号：CN106960804B
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201710010160.8
申请日：2017-01-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 本发明的目的在于提供能够以短时间高精度地对探针前端的面内位置进行检查的、适应于双面探测器的评价装置以及探针位置的检查方法。具有：支撑部，其将半导体装置固定；多个第1探针，其固定于在该支撑部的上方设置的第1绝缘板；多个第2探针，其固定于在该支撑部的下方设置的第2绝缘板；以及探针位置检查装置，其安装于该支撑部，该探针位置检查装置具有：框体，其在该第1绝缘板侧具有第1透明部件，在该第2绝缘板侧具有第2透明部件；内部棱镜，其设置于该框体之中；棱镜旋转部，其在该框体之中使该内部棱镜旋转；以及拍摄部，其经由该内部棱镜对与该第1透明部件接触的该多个第1探针或者与该第2透明部件接触的该多个第2探针进行拍摄。
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公开(公告)号：CN107037346A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610848255.2
申请日：2016-09-23
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01R31/26 , G01R31/265 , G01R1/067 , H01L21/326 , H01L21/66
CPC classification number: H01L22/32 , G01R1/06755 , G01R31/2601 , G01R31/2874 , G01R31/2891 , H01L21/326 , H01L22/14 , G01R31/265
Abstract: 本发明得到能够容易且高精度地对多个探针的前端部的面内位置及温度进行检查的半导体装置的评价装置及评价方法。卡盘台(1)将半导体装置(2)固定。多个探针(3)固定于绝缘基板(5)。温度调整部(4)对多个探针(3)的温度进行调整。评价及控制部(10)经由多个探针(3)而使电流流过半导体装置(2)，对半导体装置(2)的电气特性进行评价。热图像测量部(15)取得被多个探针(3)的前端部按压于表面后的检查板(14)的热图像。热图像处理部(19)对热图像进行图像处理，求出多个探针(3)的前端部的面内位置及温度。
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