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公开(公告)号：CN116313887A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211612934.1
申请日：2022-12-15
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明涉及半导体制造装置，目的在于提供半导体芯片角的切割带剥离容易推进的半导体制造装置。本发明的半导体制造装置具有拾取台，该拾取台具有使四边形的半导体芯片升降的机构，拾取台在四角具有第一上推块。第一上推块构成为具有：与半导体芯片的一条边平行的第一边；与半导体芯片的另一条边平行的第二边；以及偏移部，其形成为在第一边与所述第二边之间与第一边和第二边各自的延长线的交点相比向内侧偏移。
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公开(公告)号：CN103529249B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201310058056.8
申请日：2013-02-25
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G01R31/2886 , G01R31/2887 , G01R31/2889
Abstract: 本发明的目的在于提供一种抑制真空吸附槽和接触式探头的接触压引起的形变的半导体试验夹具及使用该夹具的半导体试验方法。本发明的半导体试验夹具1夹在卡盘台5与被测定物20之间来固定被测定物20，包括自由地装在卡盘台5的、载置被测定物20的基座。基座具有：第一主面，成为被测定物20的载置面；第二主面，与第一主面对置，与卡盘台5接触；以及多孔质区域，包含多孔质材料而构成，在俯视下选择性地设置，从第一主面贯穿到第二主面。
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公开(公告)号：CN104597384A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410475450.6
申请日：2014-09-17
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G01R31/2808 , G01R1/06777 , G01R1/07314 , G01R1/07371 , G01R1/18
Abstract: 半导体评价装置(100)具有评价用夹具(12)以及探针基体(2)。评价用夹具(12)设置为能够载置多个半导体装置(10)。探针基体(2)设置为与评价用夹具(12)相对，包含接触式探针(23)、能够屏蔽电场的屏蔽部(22)、以及保持接触式探针(23)的绝缘性基体(21)。评价用夹具(12)包含有利用框部(13)划分为能够分别载置多个所述半导体装置(10)的多个收容部(17)。构成为，通过使框部(13)和探针基体(2)接近，从而在多个收容部(17)和探针基体(2)之间形成有分别载置多个半导体装置(10)的空间的状态下，能够使接触式探针(23)与多个元件接触。
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公开(公告)号：CN103543303A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310232807.3
申请日：2013-06-13
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01R1/067
CPC classification number: G01R1/0408 , G01R1/06705 , G01R1/44 , G01R3/00
Abstract: 本发明的目的在于提供一种能够容易地抑制绝缘基板的膨胀、翘曲的检查装置。本申请的发明所涉及的检查装置的特征在于包括：绝缘基板(10)；插座(12)，由在壁面具有贯通孔(12b)的主体部(12a)和固定于该绝缘基板(10)的连接部(12c)一体地形成；以及接触探针(14)，可装卸地固定于该插座(12)。
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公开(公告)号：CN103454460A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310214803.2
申请日：2013-06-03
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G01R1/06711 , G01R1/067 , G01R31/2863
Abstract: 本发明以提供能够容易地抑制绝缘基板的膨胀、翘曲等的检查装置及检查方法为目的。本发明所涉及的检查装置具备：探针（14），具有固定于绝缘基板（10）的主体部（16）、与该主体部（16）的一端连接且配置于该绝缘基板（10）的背面侧的前端部（20）、和与该主体部（16）的另一端连接且配置于该绝缘基板（10）的表面侧的连接部（22）；以及与该连接部（22）相接触的散热端子（24）。而且，使电流经由该散热端子（24）及该探针（14）流向被测定物，该散热端子（24）散发来自该探针（14）的热量。
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公开(公告)号：CN114509646A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202111232242.X
申请日：2021-10-22
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供可在晶片状态下进行半导体器件耐压试验的半导体测试装置及半导体测试方法。本发明涉及的半导体测试装置具有：工作台(1)，其载置晶片；加压壁(4)，其设置于探针板的与工作台相对的面之上，朝向工作台延伸且具有开口部；标记(11)，其设置于加压壁的与工作台相对的面即加压壁下表面；探针(5)，其设置于开口部内；气管(6)，其将空气送入开口部内；检测器(8)，其对探针的前端与标记之间的第1间隔进行检测；以及控制部，其基于第1间隔对晶片与加压壁下表面之间的第2间隔进行控制，在对晶片处的各芯片的电气特性进行测定时，控制部以第2间隔成为预先确定的间隔的方式进行控制，从气管将空气送入开口部内。
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公开(公告)号：CN106104780B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201480076889.X
申请日：2014-03-06
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/66
Abstract: 目的在于提供一种能够抑制评价时的放电的技术。半导体装置(1)具有：半导体基体(11)，其具有元件区域(11a)以及末端区域(11b)；多个电极焊盘(12)，它们配置于半导体基体(11)的元件区域(11a)之中的与末端区域(11b)分离的区域之上；绝缘性的保护膜(13)，其在各电极焊盘(12)之上设置有开口部(13a)；以及多个导电层(14)，其配置于保护膜(13)之上，经由开口部(13a)而与多个电极焊盘(12)分别电连接。在俯视观察时，各导电层(14)延伸设置至末端区域(11b)或者其附近。
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公开(公告)号：CN103367218B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201210434807.7
申请日：2012-11-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67748 , H01L21/6838 , H01L21/68707 , Y10T29/49998
Abstract: 本发明的目的在于，提供一种能够以低成本在不使晶片变形的情况下以充分的吸附压力将晶片吸附于台的晶片吸附方法、晶片吸附台、以及晶片吸附系统。本申请发明的晶片吸附台是在内部具有空间的晶片吸附台，具备：装载面，装载晶片；多孔质部，以表面露出于该装载面、背面与该空间相接的方式形成在该晶片吸附台内；以及连结部，与该空间连接并且延伸至该晶片吸附台外部。而且，该多孔质部的特征在于越是远离该连结部的部分形成得越薄。
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公开(公告)号：CN103454460B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201310214803.2
申请日：2013-06-03
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: G01R1/06711 , G01R1/067 , G01R31/2863
Abstract: 本发明以提供能够容易地抑制绝缘基板的膨胀、翘曲等的检查装置及检查方法为目的。本发明所涉及的检查装置，具备：探针（14），具有固定于绝缘基板（10）的主体部（16）、与该主体部（16）的一端连接且配置于该绝缘基板（10）的背面侧的前端部（20）、和与该主体部（16）的另一端连接且配置于该绝缘基板（10）的表面侧的连接部（22）；以及与该连接部（22）相接触的散热端子（24）。而且，使电流经由该散热端子（24）及该探针（14）流向被测定物，该散热端子（24）散发来自该探针（14）的热量。
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