-
公开(公告)号：CN1467807A
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN03104175.2
申请日：2003-02-12
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01R27/2605
Abstract: 本发明提供即使产生无法忽视测定对象电容的泄漏电流，也可以测定正确电容值的电容值测定方法。在步骤S1，采用正常的PMOS栅极电位Gp1作为以一定周期控制PMOS晶体管MP1及MP2的导通/截止的PMOS栅极电位Gp，测定测试电流ICnorm。在步骤S2，采用“L”期间及下降时间为正常PMOS栅极电位Gp1的等比倍的导通时间等比倍PMOS栅极电位Gp2，作为PMOS栅极电位Gp，测出电流ICrat。在步骤S3，根据电流ICnorm及电流ICrat，除去泄漏电流IRt，计算出仅由电容电流ICt构成的电容电流CIC的电流量。在步骤S5，根据电容电流CIC及步骤S4求出的充电频率frat，求出目标电容CCt。
Search Results
1
records
(took 0.014 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
