公开(公告)号：CN1294631C

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN02160227.1

申请日：2002-11-28

Applicant: 三菱化学株式会社 ,  夏普公司

Inventor： 铃木芳英 ,  泽井敬一 ,  齐藤范之 ,  三好胜 ,  石川诚

IPC: H01L21/3213 ,  C23F1/10

CPC classification number: C23F1/14 ,  C11D1/523 ,  C11D7/10 ,  C11D7/261 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/32134

Abstract: 一种蚀刻液，含作为溶质的碘、碘化物和醇，和诸如水这样的溶剂。该蚀刻液均匀蚀刻在半导体器件或液晶装置用基片的表面上形成的金或金合金层。在该层上形成多个金或金合金柱。用该蚀刻液几乎不蚀刻这些柱。该蚀刻液均匀蚀刻柱之间存在的金或金合金层。该蚀刻液可以进一步含表面活性剂。

公开(公告)号：CN1421906A

公开(公告)日：2003-06-04

申请号：CN02160227.1

申请日：2002-11-28

Applicant: 三菱化学株式会社 ,  夏普公司

Inventor： 铃木芳英 ,  泽井敬一 ,  齐藤范之 ,  三好胜 ,  石川诚

IPC: H01L21/3213 ,  C23F1/10

CPC classification number: C23F1/14 ,  C11D1/523 ,  C11D7/10 ,  C11D7/261 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/32134

Abstract: 一种蚀刻液，含作为溶质的碘、碘化物和醇，和诸如水这样的溶剂。该蚀刻液均匀蚀刻在半导体器件或液晶装置用基片的表面上形成的金或金合金层。在该层上形成多个金或金合金柱。用该蚀刻液几乎不蚀刻这些柱。该蚀刻液均匀蚀刻柱之间存在的金或金合金层。该蚀刻液可以进一步含表面活性剂。

公开(公告)号：CN101681824B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200880015508.1

申请日：2008-05-16

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 河瀬康弘 ,  池本慎 ,  伊藤笃史 ,  石川诚

IPC: H01L21/304

CPC classification number: H01L21/0206 ,  C11D3/2075 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02074

Abstract: 本发明提供一种半导体器件用基板清洗液，其对基板表面附着的颗粒或有机物的污染、金属污染以及有机物和金属导致的复合污染的去除性和防止再附着性优异，不会腐蚀基板表面，能够高度洁净化。特别是提供低介电常数(Low-k)材料的清洗性优异的清洗液，低介电常数(Low-k)材料因疏水性而容易排斥试剂，并且颗粒去除性差。所述半导体器件用基板清洗液的特征在于，其含有(A)有机酸和(B)HLB值为5以上且小于13的非离子型表面活性剂。

公开(公告)号：CN1514807A

公开(公告)日：2004-07-21

申请号：CN02811728.X

申请日：2002-06-07

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 石川诚 ,  齐藤范之 ,  三好胜

IPC: C01F17/00 ,  C23F1/26 ,  C23F1/46

CPC classification number: C01F17/0012

Abstract: 本发明的课题是从含铈溶液以高收率在短时间内回收高纯度铈化合物的方法，具体地提供从蚀刻废液等的含有铈的酸性水溶液以硝酸铵铈(IV)的形式回收铈的方法。本发明的硝酸铵铈((IV))的制造方法是从至少含有三价铈、四价铈、铵离子和硝酸的酸性水溶液中制造硝酸铵铈(IV)的方法，其特征在于该酸性水溶液含有在pH2以下的氧化电位为0.7～1.6V的金属，提高该酸性水溶液中的硝酸浓度，析出硝酸铵铈(IV)结晶。

公开(公告)号：CN101884092A

公开(公告)日：2010-11-10

申请号：CN200880118851.9

申请日：2008-12-03

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 望月英章 ,  石川诚 ,  齐藤范之

IPC: H01L21/304 ,  C11D7/06 ,  C11D7/18 ,  C11D7/26 ,  C11D7/50 ,  C11D17/08

CPC classification number: C11D3/044 ,  C11D1/72 ,  C11D3/2068 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/06 ,  C11D7/263 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02057

Abstract: 本发明提供一种半导体器件用基板的清洗方法，该方法对附着在基板表面的微小粒子或有机物的污染、金属污染以及有机物和金属的复合污染的除去性以及再附着防止性优异，不会腐蚀基板表面，并且即使不施加强的超声波也可以高度清洁化。本发明的半导体器件用基板的清洗方法使用含有以下成分(A)～(D)的清洗液，并以每1cm2超声波照射基板0.2W～1.5W的强度施加超声波，由此对半导体器件用基板进行清洗。(A)过氧化氢、(B)碱、(C)水、(D)下述通式(1)表示的化合物，R1-O-(-R2-O-)n-H(1)，式中，R1表示碳原子数1～4的烷基、R2表示碳原子数2～3的亚烷基、n表示1～3的整数。

公开(公告)号：CN101198726A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200680021492.6

申请日：2006-05-09

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  三菱化学株式会社

Inventor： 大见忠弘 ,  白井泰雪 ,  森永均 ,  河濑康弘 ,  北野真史 ,  水谷文一 ,  石川诚

IPC: C25D11/04 ,  C25D11/06 ,  C25D11/18 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C25D11/06 ,  C25D11/18 ,  Y10T428/265

Abstract: 提供一种适用于保护以铝为主成分的金属的金属氧化物膜。是由以铝为主成分的金属的氧化物构成的膜，膜厚为10nm以上，从所述膜放出的水分量为1E18分子/cm2以下。还提供一种金属氧化物膜的制造方法，在pH4～10的化成液中，对以铝为主成分的金属进行阳极氧化而获得金属氧化物膜。

公开(公告)号：CN1946877A

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN200580012195.0

申请日：2005-04-07

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 石川诚 ,  鎌田浩史

IPC: C23F1/28 ,  C23F1/18 ,  C23F1/30 ,  H01L21/306 ,  H05K3/06

CPC classification number: H01L21/32134 ,  C23F1/26 ,  C23F1/28

Abstract: 本发明提供蚀刻液和采用该蚀刻液的蚀刻方法。在对底层膜和上层膜的层叠膜中的至少底层膜进行蚀刻时，通过抑制由电腐蚀作用引起的侧蚀来进行理想的蚀刻，所述底层膜形成于基板上并含有铬、镍或含铬和/或镍的合金，所述上层膜覆盖所述底层膜的全部或部分表面并含有贵金属或贵金属的合金。所述蚀刻液是对底层膜和上层膜的层叠膜中的至少底层膜进行蚀刻的蚀刻液，所述底层膜形成于基板上并含有铬、镍或含铬和/或镍的合金，所述上层膜覆盖所述底层膜的全部或部分表面并含有贵金属或贵金属的合金，所述蚀刻液含有硝酸浓度为35重量％以上的水溶液。

公开(公告)号：CN1255864C

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN02141824.1

申请日：2002-07-23

Applicant: 索尼公司 ,  STLCD株式会社 ,  三菱化学株式会社

Inventor： 宗像昌树 ,  小松洋仁 ,  公文哲史 ,  寺本和真 ,  合田信弘 ,  元井政和 ,  齐藤范之 ,  榊原利明 ,  石川诚

IPC: H01L21/3213 ,  C23F1/30

Abstract: 在基体上的银或银合金薄层通过蚀刻液而均匀地被蚀刻，而不产生蚀刻残留，同时可避免由于过度腐蚀导致的侧面腐蚀。该蚀刻液含有0.005～1重量%的银离子。蚀刻液供入罐或蚀刻液供料设备中，而后使之与基体上的银或银合金薄层接触。

公开(公告)号：CN1399317A

公开(公告)日：2003-02-26

申请号：CN02141824.1

申请日：2002-07-23

Applicant: 索尼公司 ,  STLCD株式会社 ,  三菱化学株式会社

Inventor： 宗像昌树 ,  小松洋仁 ,  公文哲史 ,  寺本和真 ,  合田信弘 ,  元井政和 ,  齐藤范之 ,  榊原利明 ,  石川诚

IPC: H01L21/3213 ,  C23F1/30

Abstract: 在基体上的银或银合金薄层通过蚀刻液而均匀地被蚀刻，而不产生蚀刻残留，同时可避免由于过度腐蚀导致的侧面腐蚀。该蚀刻液含有0.005～1重量％的银离子。蚀刻液供入罐或蚀刻液供料设备中，而后使之与基体上的银或银合金薄层接触。

公开(公告)号：CN101218376A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200680020909.7

申请日：2006-06-16

Applicant: 国立大学法人东北大学 ,  三菱化学株式会社 ,  日本陶瓷科技股份有限公司

Inventor： 大见忠弘 ,  白井泰雪 ,  森永均 ,  河濑康弘 ,  北野真史 ,  水谷文一 ,  石川诚 ,  岸幸男

IPC: C23C28/00 ,  C23C8/10 ,  C25D11/08 ,  C25D11/10 ,  C25D11/16 ,  C25D11/18 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C4/02 ,  C23C8/80 ,  C23C28/00 ,  C23C28/042 ,  C25D11/02 ,  C25D11/04 ,  C25D11/08 ,  C25D11/10 ,  C25D11/16 ,  C25D11/18 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31678

Abstract: 提供一种使抑制反应生成物堆积到半导体或平板显示器制造装置等的处理室内壁等上、因内壁等的腐蚀造成的金属污染、放出气体造成的工艺不稳定性等多个工艺成为可能的多功能制造装置系统及用于该系统的保护皮膜构造。在金属材料的表面上具有作为基底层的第1皮膜层，再形成200μm左右的第2皮膜层，该第1皮膜层具有通过母材的直接氧化形成的1μm以下膜厚的氧化物皮膜。通过该构成，可以使第2层的保护膜对离子和自由基具有耐蚀性，使第1层的氧化物皮膜起到防止因分子和离子扩散到第2层保护膜中使母材金属表面受到腐蚀的保护层的效果，降低各金属构件、工艺腔内表面对基板造成的金属污染。可以抑制因母材和第2层的保护膜界面的腐蚀造成的第2层保护膜密着力下降而导致的第2层保护膜的剥离。