-
公开(公告)号：CN1514807A
公开(公告)日：2004-07-21
申请号：CN02811728.X
申请日：2002-06-07
Applicant: 三菱化学株式会社
CPC classification number: C01F17/0012
Abstract: 本发明的课题是从含铈溶液以高收率在短时间内回收高纯度铈化合物的方法，具体地提供从蚀刻废液等的含有铈的酸性水溶液以硝酸铵铈(IV)的形式回收铈的方法。本发明的硝酸铵铈((IV))的制造方法是从至少含有三价铈、四价铈、铵离子和硝酸的酸性水溶液中制造硝酸铵铈(IV)的方法，其特征在于该酸性水溶液含有在pH2以下的氧化电位为0.7～1.6V的金属，提高该酸性水溶液中的硝酸浓度，析出硝酸铵铈(IV)结晶。
-
公开(公告)号：CN1798874A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200480014911.4
申请日：2004-11-09
Applicant: 先进显示股份有限公司 , 三菱化学株式会社
IPC: C23F1/16 , C23F1/20 , C23F1/26 , H01L21/306
CPC classification number: C23F1/20 , C23F1/16 , C23F1/26 , H01L21/32134
Abstract: 仅通过一次蚀刻操作，同时蚀刻构成多层膜的两层而形成精度令人满意的微细配线形状，同时防止上方层形成悬伸物；所述多层膜包括由铝合金制成的第一层和形成在该第一层上的由钼－铌合金制成的第二层。对于包括形成在基板上的铝合金层和形成在所述铝合金层上的铌含量为2重量％～19重量％的钼－铌合金层的多层膜，用于蚀刻该多层膜的蚀刻剂包含磷酸、硝酸和有机酸的酸混合物的水溶液；以及使用该蚀刻剂实施所述蚀刻方法。优选所述蚀刻剂的磷酸浓度Np为50重量％～75重量％，硝酸浓度Nn为2重量％～15重量％，由Np+(98/63)Nn定义的酸成分的浓度为55重量％～85重量％。
-
公开(公告)号：CN1320608C
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN03124018.6
申请日：2003-04-24
Applicant: 三菱化学株式会社 , 先进显示股份有限公司
IPC: H01L21/306 , H01L21/465 , C23F1/20
CPC classification number: H01L21/32134 , C23F1/20
Abstract: 一种用于通过湿蚀刻对金属薄膜形成图案的蚀刻剂，尤其用于生产诸如半导体元件和液晶显示器元件的半导体器件的一种蚀刻剂，是要应用于一种多层膜上，这种多层膜具有由铝铝合金构成的第一层和其上形成的由各含至少一种选自氮，氧、硅和碳元素的铝或铝合金构成的第二层，和含有磷酸量35～65重量%及硝酸量0.5～15重量%；和利用该蚀刻剂进行蚀刻。
-
公开(公告)号：CN1379288A
公开(公告)日：2002-11-13
申请号：CN02108573.0
申请日：2002-04-02
Abstract: 本发明提供重复使用包含硝酸和磷酸的蚀刻液的金属蚀刻方法,即可以长时间维持蚀刻液的蚀刻能力的经改良的蚀刻方法。其根据下式(1)规定的酸成分对应浓度的测量结果进行重复使用前必要的浓度调节。酸成分对应浓度(重量%)=硝酸浓度(重量%)×98/63+磷酸浓度(重量%)…(1)(在上式中,98是磷酸分子量,63是硝酸分子量)。
-
公开(公告)号：CN101884092A
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200880118851.9
申请日：2008-12-03
Applicant: 三菱化学株式会社
CPC classification number: C11D3/044 , C11D1/72 , C11D3/2068 , C11D3/3947 , C11D7/06 , C11D7/263 , C11D11/0047 , H01L21/02052 , H01L21/02057
Abstract: 本发明提供一种半导体器件用基板的清洗方法，该方法对附着在基板表面的微小粒子或有机物的污染、金属污染以及有机物和金属的复合污染的除去性以及再附着防止性优异，不会腐蚀基板表面，并且即使不施加强的超声波也可以高度清洁化。本发明的半导体器件用基板的清洗方法使用含有以下成分(A)～(D)的清洗液，并以每1cm2超声波照射基板0.2W～1.5W的强度施加超声波，由此对半导体器件用基板进行清洗。(A)过氧化氢、(B)碱、(C)水、(D)下述通式(1)表示的化合物，R1-O-(-R2-O-)n-H(1)，式中，R1表示碳原子数1～4的烷基、R2表示碳原子数2～3的亚烷基、n表示1～3的整数。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1255864C
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN02141824.1
申请日：2002-07-23
IPC: H01L21/3213 , C23F1/30
Abstract: 在基体上的银或银合金薄层通过蚀刻液而均匀地被蚀刻，而不产生蚀刻残留，同时可避免由于过度腐蚀导致的侧面腐蚀。该蚀刻液含有0.005～1重量%的银离子。蚀刻液供入罐或蚀刻液供料设备中，而后使之与基体上的银或银合金薄层接触。
-
公开(公告)号：CN1399317A
公开(公告)日：2003-02-26
申请号：CN02141824.1
申请日：2002-07-23
IPC: H01L21/3213 , C23F1/30
Abstract: 在基体上的银或银合金薄层通过蚀刻液而均匀地被蚀刻，而不产生蚀刻残留，同时可避免由于过度腐蚀导致的侧面腐蚀。该蚀刻液含有0.005～1重量％的银离子。蚀刻液供入罐或蚀刻液供料设备中，而后使之与基体上的银或银合金薄层接触。
-
公开(公告)号：CN101098989A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200580046553.X
申请日：2005-03-29
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C23F1/18 , C09K13/06 , H01L21/308
CPC classification number: C23F1/34 , H01L21/32134
Abstract: 本发明提供铜的蚀刻液和蚀刻方法，其即使在其他金属共存的情况下，也能选择对铜或铜合金均匀地进行蚀刻。所述铜的蚀刻液至少含有草酸铵、过氧化氢和表面活性剂，并且表面张力为45mN/m以下，pH为6.0～8.5。草酸铵作为与铜形成铜络合物而使铜溶解的络合剂发挥作用，过氧化氢作为对铜表面进行氧化的氧化剂发挥作用，通过含有表面活性剂，使蚀刻液的表面张力为45mN/m以下。由此提高对基板的润湿性，提高蚀刻液对基板结构中高位部的浸渗性，在配线或电极用的具有优异导电性的金属共存的情况下，能均匀且选择性地蚀刻铜或铜合金。
-
公开(公告)号：CN1294631C
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN02160227.1
申请日：2002-11-28
IPC: H01L21/3213 , C23F1/10
CPC classification number: C23F1/14 , C11D1/523 , C11D7/10 , C11D7/261 , C11D11/0047 , H01L21/32134
Abstract: 一种蚀刻液，含作为溶质的碘、碘化物和醇，和诸如水这样的溶剂。该蚀刻液均匀蚀刻在半导体器件或液晶装置用基片的表面上形成的金或金合金层。在该层上形成多个金或金合金柱。用该蚀刻液几乎不蚀刻这些柱。该蚀刻液均匀蚀刻柱之间存在的金或金合金层。该蚀刻液可以进一步含表面活性剂。
-
公开(公告)号：CN1836061A
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200480023396.6
申请日：2004-08-06
Applicant: 三菱化学株式会社
IPC: C23F1/26
Abstract: 本发明提供含钛层用蚀刻液和含钛层蚀刻方法，所述蚀刻液是蚀刻形成在硅基板上或硅酸类玻璃基板上的以选自钛、钛氧化物、钛氮化物以及钛氧氮化物中的1种或2种或2种以上为主要成分的含钛层的蚀刻液，是含有氟硅酸的含钛层用蚀刻液，能够以快的蚀刻速度且不会侵蚀基板地选择性地进行蚀刻。所述蚀刻方法是使用该蚀刻液蚀刻硅基板或硅酸类玻璃基板上的含钛层的蚀刻方法。氟硅酸是氢氟酸和硅或氧化硅反应生成的物质，对于硅或硅酸类玻璃是非活性的，而对于钛、钛氧化物、钛氮化物或钛氧氮化物具有充分的蚀刻性能，对于硅基板上或硅酸类玻璃基板上含钛层的蚀刻具有充分的选择性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.019 seconds)
