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公开(公告)号：CN101213327B
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200680023605.6
申请日：2006-06-29
Applicant: 三菱化学株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: C30B7/10 , C30B29/18 , C30B29/406 , Y10T117/1004
Abstract: 本发明的目的在于，在反应容器内存在规定量的与溶剂临界密度不同的物质，通过溶剂热法进行结晶生长，从而控制结晶的析出位置，提高结晶的收率，此外，防止在结晶中混入杂质，从而使结晶高纯度化。本发明的结晶制造方法是在反应容器中使用超临界状态和/或亚临界状态的溶剂以及原料而使结晶生长，其特征在于，在该反应容器中存在满足下述式(1)且与该溶剂的临界密度差为25％以上的物质(X)，通过调整该物质(X)的量，控制结晶的析出位置。
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公开(公告)号：CN101522962A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780038372.1
申请日：2007-10-10
Applicant: 三菱化学株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: C30B29/403 , C30B7/10 , C30B29/406
Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体的制造方法，其包括：控制加入了具有六方晶系晶体结构的晶种、含有氮元素的溶剂、包含周期表第13族金属元素的原料物质及矿化剂的高压釜内的温度及压力，以使所述溶剂达到超临界状态和/或亚临界状态，从而通过氨热性法使氮化物半导体在所述晶种的表面结晶生长的工序，其中，所述晶种上的m轴方向结晶生长速度为所述晶种上的c轴方向结晶生长速度的1.5倍以上。由此，能够高效、简便地制造具有大口径C面的氮化物半导体、及m轴方向较厚的氮化物半导体。
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公开(公告)号：CN101213327A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200680023605.6
申请日：2006-06-29
Applicant: 三菱化学株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: C30B7/10 , C30B29/18 , C30B29/406 , Y10T117/1004
Abstract: 本发明的目的在于，在反应容器内存在规定量的与溶剂临界密度不同的物质，通过溶剂热法进行结晶生长，从而控制结晶的析出位置，提高结晶的收率，此外，防止在结晶中混入杂质，从而使结晶高纯度化。本发明的结晶制造方法是在反应容器中使用超临界状态和/或亚临界状态的溶剂以及原料而使结晶生长，其特征在于，在该反应容器中存在满足式(1)且与该溶剂的临界密度差为25％以上的物质(X)，通过调整该物质(X)的量，控制结晶的析出位置。
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公开(公告)号：CN103635616A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201180071853.9
申请日：2011-06-23
Applicant: 旭化成株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: C30B7/105 , C01B21/0632 , C30B29/406 , Y10T117/1096 , Y10T428/2982
Abstract: 提供可以兼备高结晶生长速率和高结晶品质的氮化物单晶的新制造方法及可用于该方法的新高压釜。本发明提供氮化物单晶的制造方法及可用于该方法的高压釜，所述方法是通过氨热法制造含Ga氮化物单晶的方法，包含：向高压釜内至少导入原料、酸性矿化剂、氨后，在单晶生长部位的温度（T1）为600℃～850℃、该单晶生长部位的温度（T1）与原料供应部位的温度（T2）之间存在T1>T2的关系、并且该高压釜内的压力为40MPa～250MPa的条件下，令含Ga氮化物单晶生长。
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