公开(公告)号：CN103635616A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201180071853.9

申请日：2011-06-23

Applicant: 旭化成株式会社 ,  国立大学法人东北大学

Inventor： 青木谦介 ,  吉田一男 ,  中村克仁 ,  福田承生

IPC: C30B29/38 ,  C30B7/10

CPC classification number: C30B7/105 ,  C01B21/0632 ,  C30B29/406 ,  Y10T117/1096 ,  Y10T428/2982

Abstract: 提供可以兼备高结晶生长速率和高结晶品质的氮化物单晶的新制造方法及可用于该方法的新高压釜。本发明提供氮化物单晶的制造方法及可用于该方法的高压釜，所述方法是通过氨热法制造含Ga氮化物单晶的方法，包含：向高压釜内至少导入原料、酸性矿化剂、氨后，在单晶生长部位的温度（T1）为600℃～850℃、该单晶生长部位的温度（T1）与原料供应部位的温度（T2）之间存在T1>T2的关系、并且该高压釜内的压力为40MPa～250MPa的条件下，令含Ga氮化物单晶生长。