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公开(公告)号：CN102695823B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201080053298.2
申请日：2010-11-25
Applicant: 三菱化学株式会社 , 国立大学法人东北大学 , 株式会社日本制钢所
CPC classification number: C30B29/406 , C30B7/105 , C30B29/403
Abstract: 本发明提供一种氮化物结晶的制造方法，其能够抑制在晶种上以外的部分析出氮化物结晶，提高在晶种上生长的氮化镓单晶的生产效率。在装有含有矿化剂的溶液的容器内通过氨热法制造氮化物结晶时，在容器和设置于容器内的构件的表面中，与溶液接触的部分的至少一部分由含有选自钽（Ta）、钨（W）和钛（Ti）中的一种以上原子的金属或者合金构成，并且，表面粗糙度（Ra）小于1.80μm。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102695823A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201080053298.2
申请日：2010-11-25
Applicant: 三菱化学株式会社 , 国立大学法人东北大学 , 株式会社日本制钢所
CPC classification number: C30B29/406 , C30B7/105 , C30B29/403
Abstract: 本发明提供一种氮化物结晶的制造方法，其能够抑制在晶种上以外的部分析出氮化物结晶，提高在晶种上生长的氮化镓单晶的生产效率。在装有含有矿化剂的溶液的容器内通过氨热法制造氮化物结晶时，在容器和设置于容器内的构件的表面中，与溶液接触的部分的至少一部分由含有选自钽（Ta）、钨（W）和钛（Ti）中的一种以上原子的金属或者合金构成，并且，表面粗糙度（Ra）小于1.80μm。
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公开(公告)号：CN102272357A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201080004166.0
申请日：2010-01-07
Applicant: 三菱化学株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: B01J19/02 , B01J2219/0236 , C30B7/105 , C30B29/403 , H01L21/02389 , H01L21/02425 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , Y10T117/1096
Abstract: 本发明涉及氮化物结晶的制造方法、氮化物结晶及其制造装置。利用氨热法使氧浓度低的高纯度氮化物结晶高效地生长。一种氮化物结晶的制造方法，其特征在于，在反应容器内或者与反应容器连接的封闭回路内，使和氨反应生成矿化剂的反应性气体与氨接触生成矿化剂，在上述氨和上述矿化剂的存在下利用氨热法使氮化物结晶生长。
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公开(公告)号：CN101213327B
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200680023605.6
申请日：2006-06-29
Applicant: 三菱化学株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: C30B7/10 , C30B29/18 , C30B29/406 , Y10T117/1004
Abstract: 本发明的目的在于，在反应容器内存在规定量的与溶剂临界密度不同的物质，通过溶剂热法进行结晶生长，从而控制结晶的析出位置，提高结晶的收率，此外，防止在结晶中混入杂质，从而使结晶高纯度化。本发明的结晶制造方法是在反应容器中使用超临界状态和/或亚临界状态的溶剂以及原料而使结晶生长，其特征在于，在该反应容器中存在满足下述式(1)且与该溶剂的临界密度差为25％以上的物质(X)，通过调整该物质(X)的量，控制结晶的析出位置。
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公开(公告)号：CN101522962A
公开(公告)日：2009-09-02
申请号：CN200780038372.1
申请日：2007-10-10
Applicant: 三菱化学株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: C30B29/403 , C30B7/10 , C30B29/406
Abstract: 本发明涉及一种氮化物半导体的制造方法，其包括：控制加入了具有六方晶系晶体结构的晶种、含有氮元素的溶剂、包含周期表第13族金属元素的原料物质及矿化剂的高压釜内的温度及压力，以使所述溶剂达到超临界状态和/或亚临界状态，从而通过氨热性法使氮化物半导体在所述晶种的表面结晶生长的工序，其中，所述晶种上的m轴方向结晶生长速度为所述晶种上的c轴方向结晶生长速度的1.5倍以上。由此，能够高效、简便地制造具有大口径C面的氮化物半导体、及m轴方向较厚的氮化物半导体。
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公开(公告)号：CN101213327A
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200680023605.6
申请日：2006-06-29
Applicant: 三菱化学株式会社 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: C30B7/10 , C30B29/18 , C30B29/406 , Y10T117/1004
Abstract: 本发明的目的在于，在反应容器内存在规定量的与溶剂临界密度不同的物质，通过溶剂热法进行结晶生长，从而控制结晶的析出位置，提高结晶的收率，此外，防止在结晶中混入杂质，从而使结晶高纯度化。本发明的结晶制造方法是在反应容器中使用超临界状态和/或亚临界状态的溶剂以及原料而使结晶生长，其特征在于，在该反应容器中存在满足式(1)且与该溶剂的临界密度差为25％以上的物质(X)，通过调整该物质(X)的量，控制结晶的析出位置。
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