公开(公告)号：CN105917035A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201480073300.0

申请日：2014-12-11

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 塚田悠介 ,  长尾哲 ,  镰田和典 ,  田代雅之 ,  藤户健史 ,  藤泽英夫 ,  三川丰 ,  梶本哲治 ,  深田崇

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L29/20 ,  H01L33/32

CPC classification number: C30B25/20 ,  C30B7/005 ,  C30B7/105 ,  C30B23/025 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种用于在圆盘形GaN基板中将构成该基板的结晶区域的个数削减为4个以下的技术，该圆盘形GaN基板是利用覆瓦法制造的，主表面的法线与m轴之间的角度为0°以上20°以下，直径为45mm～55mm。根据优选实施方式，提供一种GaN基板，该GaN基板具有第1主表面和其相反侧的第2主表面，上述第1主表面的法线与m轴之间的角度为0°以上20°以下，该GaN基板是直径为45mm以上的圆盘形GaN基板，该GaN基板由各自在上述第1主表面和第2主表面两者露出的4个以下的结晶区域构成，该4个以下的结晶区域沿着上述第1主表面上的c轴的正投影的方向排成一列。

公开(公告)号：CN105917035B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201480073300.0

申请日：2014-12-11

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 塚田悠介 ,  长尾哲 ,  镰田和典 ,  田代雅之 ,  藤户健史 ,  藤泽英夫 ,  三川丰 ,  梶本哲治 ,  深田崇

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L29/20 ,  H01L33/32

CPC classification number: C30B25/20 ,  C30B7/005 ,  C30B7/105 ,  C30B23/025 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种用于在圆盘形GaN基板中将构成该基板的结晶区域的个数削减为4个以下的技术，该圆盘形GaN基板是利用覆瓦法制造的，主表面的法线与m轴之间的角度为0°以上20°以下，直径为45mm～55mm。根据优选实施方式，提供一种GaN基板，该GaN基板具有第1主表面和其相反侧的第2主表面，上述第1主表面的法线与m轴之间的角度为0°以上20°以下，该GaN基板是直径为45mm以上的圆盘形GaN基板，该GaN基板由各自在上述第1主表面和第2主表面两者露出的4个以下的结晶区域构成，该4个以下的结晶区域沿着上述第1主表面上的c轴的正投影的方向排成一列。

公开(公告)号：CN103443337A

公开(公告)日：2013-12-11

申请号：CN201280014475.5

申请日：2012-03-21

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 藤泽英夫 ,  三川丰 ,  镰田和典

IPC: C30B7/10 ,  C01B21/06 ,  C30B29/38

CPC classification number: C30B7/10 ,  C30B7/105 ,  C30B7/14 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406

Abstract: 本发明涉及氮化物结晶的制造方法，该制造方法的特征在于，其包含下述工序：在反应容器中加入具有六方晶系结晶结构的晶种、含有氮的溶剂、原料、以及含有选自氯、溴和碘的1种以上的卤素元素并含有氟的矿化剂，对于该反应容器内的温度和压力进行控制以使得上述溶剂达到超临界状态和/或亚临界状态，使氮化物结晶在上述晶种的表面生长。