公开(公告)号：CN105917035B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201480073300.0

申请日：2014-12-11

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 塚田悠介 ,  长尾哲 ,  镰田和典 ,  田代雅之 ,  藤户健史 ,  藤泽英夫 ,  三川丰 ,  梶本哲治 ,  深田崇

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L29/20 ,  H01L33/32

CPC classification number: C30B25/20 ,  C30B7/005 ,  C30B7/105 ,  C30B23/025 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种用于在圆盘形GaN基板中将构成该基板的结晶区域的个数削减为4个以下的技术，该圆盘形GaN基板是利用覆瓦法制造的，主表面的法线与m轴之间的角度为0°以上20°以下，直径为45mm～55mm。根据优选实施方式，提供一种GaN基板，该GaN基板具有第1主表面和其相反侧的第2主表面，上述第1主表面的法线与m轴之间的角度为0°以上20°以下，该GaN基板是直径为45mm以上的圆盘形GaN基板，该GaN基板由各自在上述第1主表面和第2主表面两者露出的4个以下的结晶区域构成，该4个以下的结晶区域沿着上述第1主表面上的c轴的正投影的方向排成一列。

公开(公告)号：CN105917035A

公开(公告)日：2016-08-31

申请号：CN201480073300.0

申请日：2014-12-11

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 塚田悠介 ,  长尾哲 ,  镰田和典 ,  田代雅之 ,  藤户健史 ,  藤泽英夫 ,  三川丰 ,  梶本哲治 ,  深田崇

IPC: C30B29/38 ,  H01L21/205 ,  H01L29/20 ,  H01L33/32

CPC classification number: C30B25/20 ,  C30B7/005 ,  C30B7/105 ,  C30B23/025 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L29/2003 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供一种用于在圆盘形GaN基板中将构成该基板的结晶区域的个数削减为4个以下的技术，该圆盘形GaN基板是利用覆瓦法制造的，主表面的法线与m轴之间的角度为0°以上20°以下，直径为45mm～55mm。根据优选实施方式，提供一种GaN基板，该GaN基板具有第1主表面和其相反侧的第2主表面，上述第1主表面的法线与m轴之间的角度为0°以上20°以下，该GaN基板是直径为45mm以上的圆盘形GaN基板，该GaN基板由各自在上述第1主表面和第2主表面两者露出的4个以下的结晶区域构成，该4个以下的结晶区域沿着上述第1主表面上的c轴的正投影的方向排成一列。

公开(公告)号：CN115885058A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202180051365.5

申请日：2021-08-18

Applicant: 三菱化学株式会社 ,  国立研究开发法人物质•材料研究机构

Inventor： 塚田悠介 ,  大岛祐一 ,  江夏悠贵

IPC: C23C16/34

Abstract: 本发明提供一种GaN晶体，其可用于在如GaN‑HEMT这样的横向器件结构的氮化物半导体器件中应用的衬底；以及一种GaN衬底，其可用于如GaN‑HEMT这样的横向器件结构的氮化物半导体器件的制造。该GaN晶体具有5cm2以上的相对于(0001)晶面的倾斜为10度以下的表面，Mn浓度为1.0×1016atoms/cm3以上且小于1.0×1019atoms/cm3，总施主杂质浓度小于5.0×1016atoms/cm3。