公开(公告)号：CN101606246B

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN200780044384.5

申请日：2007-10-05

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 城市隆秀 ,  冈川广明 ,  平冈晋 ,  岛敏彦 ,  谷口浩一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/405 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种发光器件通过倒装芯片安装下列(a)的GaN基LED芯片100来构成：(a)GaN基LED芯片100，包括透光衬底101以及在透光衬底101上形成的GaN基半导体层L，其中，GaN基半导体层L具有从透光衬底101侧开始依次包含n型层102、发光层103和p型层104的层叠结构，其中正电极E101在p型层104上形成，所述电极E101包含氧化物半导体的透光电极E101a以及与透光电极电连接的正接触电极E101b，以及正接触电极E101b的面积小于p型层104的上表面的面积的1/2。

公开(公告)号：CN100521267C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200610138809.6

申请日：2002-03-20

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 只友一行 ,  冈川广明 ,  大内洋一郎 ,  常川高志

IPC: H01L33/00

Abstract: 在第一层(1)的表面上加工凹凸(1a)，使具有与第一层不同的折射率的第二层(2)将该凹凸埋入并生长(或者，在成为生长的基础的晶体层(S)上使第一晶体(10)呈凹凸状地生长，使具有与第一层不同的折射率的第二晶体(20)生长)。形成了这些凹凸状的折射率界面(1a、10a)后，在它上面形成层叠了包括发光层(A)的半导体晶体层的元件结构。因此，在发光层中产生的横向光由于凹凸状的折射率界面的影响而改变方向，朝向外界。另外，其中，在使发光层的材料为InGaN、发生紫外线的情况下，采用量子阱结构，完全用GaN晶体形成该量子阱结构和低温隔离层之间的层，将AlGaN排除。该量子阱结构最好由InGaN构成的阱层和由GaN构成的阻挡层构成，阻挡层的厚度最好为6nm～30nm。

公开(公告)号：CN102405538A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201080015640.X

申请日：2010-08-24

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 作田宽明 ,  香川和彦 ,  佐藤义人 ,  冈川广明 ,  平冈晋

IPC: H01L33/50

CPC classification number: H01L33/08 ,  C09K11/0883 ,  C09K11/7718 ,  C09K11/7721 ,  C09K11/7734 ,  C09K11/7738 ,  C09K11/7774 ,  H01L33/504 ,  Y02B20/181

Abstract: 本发明的目的在于提供一种改善了涉及鲜艳的红色的再现性的白色半导体发光装置。本发明涉及的白色半导体发光装置的输出光包含蓝色光成分、绿色光成分及红色光成分，所述蓝色光成分的发生源是半导体发光元件和/或吸收半导体发光元件所发出的光并通过波长转换而发出含有所述蓝色光成分的光的第1荧光体；所述绿色光成分的发生源是吸收半导体发光元件所发出的光并通过波长转换而发出含有所述绿色光成分的光的第2荧光体；所述红色光成分的发生源是吸收半导体发光元件所发出的光并通过波长转换而发出含有所述红色光成分的光的第3荧光体，在所述输出光的光谱中，在615～645nm的范围具有最大波长，用光通量标准化的该输出光的光谱中在波长580nm处的强度为用光通量标准化的演色性评价用基准光的光谱中在波长580nm处的强度的80～100％。

公开(公告)号：CN101939820A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN200980104326.6

申请日：2009-02-13

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 冈川广明 ,  工藤广光 ,  中井辉久 ,  金成珍

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323

CPC classification number: C23C16/303 ,  C23C16/0236 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02661 ,  H01L33/007 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明的外延生长用基板至少在表层部分具有由不同于GaN类半导体的材料构成的单晶部；并且具有包含多个凸部和多个生长空间的凹凸面作为其外延生长用表面，其中，所述多个凸部的排列使得每个凸部分别在相隔120度的不同方向上具有3个最接近的其它凸部；所述多个生长空间中的每个生长空间被6个上述凸部所包围；上述单晶部至少在上述生长空间处露出，并可由此实现从上述生长空间中生长出c轴取向的GaN类半导体晶体。

公开(公告)号：CN101606246A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200780044384.5

申请日：2007-10-05

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 城市隆秀 ,  冈川广明 ,  平冈晋 ,  岛敏彦 ,  谷口浩一

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/405 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种发光器件通过倒装芯片安装下列(a)的GaN基LED芯片100来构成：(a)GaN基LED芯片100，包括透光衬底101以及在透光衬底101上形成的GaN基半导体层L，其中，GaN基半导体层L具有从透光衬底101侧开始依次包含n型层102、发光层103和p型层104的层叠结构，其中正电极E101在p型层104上形成，所述电极E101包含氧化物半导体的透光电极E101a以及与透光电极电连接的正接触电极E101b，以及正接触电极E101b的面积小于p型层104的上表面的面积的1/2。

公开(公告)号：CN100524860C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200680011218.0

申请日：2006-04-04

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 高野刚志 ,  城市隆秀 ,  冈川广明

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/285 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明的目的是提供一种包含n型氮化镓基化合物半导体和与所述半导体进行欧姆接触的新型电极的半导体元件。本发明的半导体元件具有n型氮化镓基化合物半导体和形成与所述半导体的欧姆接触的电极，其中所述电极具有将要与所述半导体接触的TiW合金层。根据优选实施例，上述电极也可以用作接触电极。根据优选实施例，上述电极具有优异的热阻。此外，还提出了所述半导体元件的生产方法。

公开(公告)号：CN101504962B

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN200910009653.5

申请日：2002-03-20

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 只友一行 ,  冈川广明 ,  大内洋一郎 ,  常川高志

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20

Abstract: 在第一层(1)的表面上加工凹凸(1a)，使具有与第一层不同的折射率的第二层(2)将该凹凸埋入并生长(或者，在成为生长的基础的晶体层(S)上使第一晶体(10)呈凹凸状地生长，使具有与第一层不同的折射率的第二晶体(20)生长)。形成了这些凹凸状的折射率界面(1a、10a)后，在它上面形成层叠了包括发光层(A)的半导体晶体层的元件结构。因此，在发光层中产生的横向光由于凹凸状的折射率界面的影响而改变方向，朝向外界。另外，其中，在使发光层的材料为InGaN、发生紫外线的情况下，采用量子阱结构，完全用GaN晶体形成该量子阱结构和低温隔离层之间的层，将AlGaN排除。该量子阱结构最好由InGaN构成的阱层和由GaN构成的阻挡层构成，阻挡层的厚度最好为6nm～30nm。

公开(公告)号：CN102683565A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210162517.1

申请日：2007-10-05

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 城市隆秀 ,  冈川广明 ,  平冈晋 ,  岛敏彦 ,  谷口浩一

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/36

CPC classification number: H01L33/32 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/405 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 一种发光器件通过倒装芯片安装下列(a)的GaN基LED芯片100来构成：(a)GaN基LED芯片100，包括透光衬底101以及在透光衬底101上形成的GaN基半导体层L，其中，GaN基半导体层L具有从透光衬底101侧开始依次包含n型层102、发光层103和p型层104的层叠结构，其中正电极E101在p型层104上形成，所述电极E101包含氧化物半导体的透光电极E101a以及与透光电极电连接的正接触电极E101b，以及正接触电极E101b的面积小于p型层104的上表面的面积的1/2。

公开(公告)号：CN101939820B

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN200980104326.6

申请日：2009-02-13

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 冈川广明 ,  工藤广光 ,  中井辉久 ,  金成珍

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B29/38 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323

CPC classification number: C23C16/303 ,  C23C16/0236 ,  C30B25/18 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/02661 ,  H01L33/007 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明的外延生长用基板至少在表层部分具有由不同于GaN类半导体的材料构成的单晶部；并且具有包含多个凸部和多个生长空间的凹凸面作为其外延生长用表面，其中，所述多个凸部的排列使得每个凸部分别在相隔120度的不同方向上具有3个最接近的其它凸部；所述多个生长空间中的每个生长空间被6个上述凸部所包围；上述单晶部至少在上述生长空间处露出，并可由此实现从上述生长空间中生长出c轴取向的GaN类半导体晶体。

公开(公告)号：CN101504962A

公开(公告)日：2009-08-12

申请号：CN200910009653.5

申请日：2002-03-20

Applicant: 三菱化学株式会社

Inventor： 只友一行 ,  冈川广明 ,  大内洋一郎 ,  常川高志

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/20

Abstract: 在第一层(1)的表面上加工凹凸(1a)，使具有与第一层不同的折射率的第二层(2)将该凹凸埋入并生长(或者，在成为生长的基础的晶体层(S)上使第一晶体(10)呈凹凸状地生长，使具有与第一层不同的折射率的第二晶体(20)生长)。形成了这些凹凸状的折射率界面(1a、10a)后，在它上面形成层叠了包括发光层(A)的半导体晶体层的元件结构。因此，在发光层中产生的横向光由于凹凸状的折射率界面的影响而改变方向，朝向外界。另外，其中，在使发光层的材料为InGaN、发生紫外线的情况下，采用量子阱结构，完全用GaN晶体形成该量子阱结构和低温隔离层之间的层，将AlGaN排除。该量子阱结构最好由InGaN构成的阱层和由GaN构成的阻挡层构成，阻挡层的厚度最好为6nm～30nm。