公开(公告)号：CN1437762A

公开(公告)日：2003-08-20

申请号：CN01811619.1

申请日：2001-04-23

Applicant: 三菱住友硅晶株式会社

Inventor： 谷口彻 ,  森田悦郎 ,  又川敏 ,  原田晴司 ,  小野五十六 ,  远藤光弘 ,  吉田文彦

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/04

CPC classification number: B24B37/08 ,  B24B37/042 ,  B24B37/24 ,  B24B37/28

Abstract: 在同时研磨半导体晶片(W)的正反两面时，上平板(12)的研磨布(14)以及下平板(13)的研磨布(15)中的任一个研磨布是使用与余下的另一个研磨布在研磨时半导体晶片进入量不同的研磨布，由此而使得正面的光泽度与反面的光泽度不同。而且，通过使上平板与下平板的旋转速度不同，而使正面的光泽度与反面的光泽度不同。

公开(公告)号：CN1203530C

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN01811619.1

申请日：2001-04-23

Applicant: 三菱住友硅晶株式会社

Inventor： 谷口彻 ,  森田悦郎 ,  又川敏 ,  原田晴司 ,  小野五十六 ,  远藤光弘 ,  吉田文彦

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/04

CPC classification number: B24B37/08 ,  B24B37/042 ,  B24B37/24 ,  B24B37/28

Abstract: 一种半导体晶片的制造方法，其特征在于：把半导体晶片保持在托板形成的晶片保持孔内，一边把含有研磨磨粒的磨浆供给该半导体晶片，一边使该托板在分别铺有研磨布的上平板以及下平板之间、且在平行于上述托板的表面的面内进行不带有自转的圆运动，由此而同时研磨上述半导体晶片的正反两面；上述上平板的研磨布以及下平板的研磨布中的任一个与余下的另一个是使用在研磨时的半导体晶片进入量不同的研磨布，由此而使得半导体晶片正面的光泽度与其反面的光泽度不同。