公开(公告)号：CN101847656B

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201010139716.1

申请日：2010-03-26

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 米田秀司 ,  泽村宪治

IPC: H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696

Abstract: 提供一种绝缘栅双极性晶体管，提高空穴的累积效果，并且抑制电流密度下降。在绝缘栅极之间，漂移区域被形成为分离成多个区域。并且，在漂移区域之间，在发射极电极与漂移层之间形成层间绝缘膜。

公开(公告)号：CN101847656A

公开(公告)日：2010-09-29

申请号：CN201010139716.1

申请日：2010-03-26

Applicant: 三洋电机株式会社 ,  三洋半导体株式会社

Inventor： 米田秀司 ,  泽村宪治

IPC: H01L29/739

CPC classification number: H01L29/7397 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696

Abstract: 提供一种绝缘栅双极性晶体管，提高空穴的累积效果，并且抑制电流密度下降。在绝缘栅极之间，漂移区域被形成为分离成多个区域。并且，在漂移区域之间，在发射极电极与漂移层之间形成层间绝缘膜。