公开(公告)号：CN1574274A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410047689.X

申请日：2004-05-26

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 铃木信广 ,  今井宪次

IPC: H01L21/70 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L24/10 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种减小内部配线(26)的端部(28)与金属膜(30)的接触电阻且提高可靠性的半导体装置的制造方法。在半导体基板(10)的表面上，以跨越相邻的集成电路元件的边界的方式，通过氧化膜形成内部配线(26)。由环氧粘接剂等树脂层(12)，在半导体基板(10)的表面上，粘合固定上部支撑基体(14)，在半导体基板(10)的背面上，形成粘合固定了下部支撑基体(16)的层叠体。保留层叠体的一部分，切削树脂层(12)及内部配线(26)，在形成使内部配线(26)的一部分露出的倒V字型的沟槽(切槽)24后，将切槽(24)暴露在等离子体气氛中，不断分解附着在内部配线(26)的端部(28)上的树脂层(12)的切屑(13)而除去。

公开(公告)号：CN1692495A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200380100219.9

申请日：2003-11-12

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 铃木信广 ,  今井宪次 ,  北村勇也 ,  山口惠一

IPC: H01L23/12

CPC classification number: H01L24/10 ,  H01L21/3043 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明提供一种半导体集成装置及其制造方法。该制造方法包含：在半导体基板形成集成电路元件的工序；形成内部布线的工序；在半导体基板的背面，沿着划线形成使内部布线的一部分露出的沟的工序；至少覆盖沟形成金属膜的工序；对金属膜构图，形成外部布线，并且在沟的底部除去金属膜的工序；覆盖外部布线和沟的底部形成保护膜的工序；沿着划线分割半导体芯片的工序。