公开(公告)号：CN1692495A

公开(公告)日：2005-11-02

申请号：CN200380100219.9

申请日：2003-11-12

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 铃木信广 ,  今井宪次 ,  北村勇也 ,  山口惠一

IPC: H01L23/12

CPC classification number: H01L24/10 ,  H01L21/3043 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599

Abstract: 本发明提供一种半导体集成装置及其制造方法。该制造方法包含：在半导体基板形成集成电路元件的工序；形成内部布线的工序；在半导体基板的背面，沿着划线形成使内部布线的一部分露出的沟的工序；至少覆盖沟形成金属膜的工序；对金属膜构图，形成外部布线，并且在沟的底部除去金属膜的工序；覆盖外部布线和沟的底部形成保护膜的工序；沿着划线分割半导体芯片的工序。

公开(公告)号：CN1700479A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200510072744.5

申请日：2005-05-19

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 松山久 ,  北村勇也

IPC: H01L31/00 ,  H01L31/02

CPC classification number: G01J1/04 ,  G01J1/0209 ,  G01J1/0492 ,  H01L31/0203 ,  H01L31/02162 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供一种可以排除不必要的红外线光，且提高可靠性的光电转换装置。本发明的光电转换装置包括：在表面上形成了光电转换元件的半导体基板(30)；以覆盖半导体基板(30)表面的至少一部分的方式设置的可见光滤波器(34)；粘接在半导体基板(30)表面上的上部支撑基体(42)；上部支撑基体(42)用吸收红外线光的树脂层(42b)粘接了多个具有透光性的基体(42a)。