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公开(公告)号：CN102473755B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201080033883.6
申请日：2010-07-30
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/0224 , H01L31/05
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/0201 , H01L31/02013 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/05 , H01L31/0504 , H01L31/0516 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池组件，其通过使在与表面侧的指形电极相对的背面侧存在指形电极，能够抑制太阳能电池的裂纹的发生。该太阳能电池组件具有通过配线材料相互连接的多个太阳能电池，太阳能电池具有：配置在受光面，并且与接头连接的多个表面侧指形电极(110)；和配置在背面，并且与接头连接的多个背面侧指形电极(120)，在表面侧指形电极(110)存在的位置的背面侧的相对的位置，配置有在比表面侧的指形电极(110)大的区域形成的背面侧的辅助电极部(120b)。
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公开(公告)号：CN101114648A
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200710136798.2
申请日：2007-07-27
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L29/78 , H01L29/417
CPC classification number: H01L21/761 , H01L21/763 , H01L27/088 , H01L29/1087 , H01L29/41741 , H01L29/41766 , H01L29/66734 , H01L29/7809 , H01L29/7813
Abstract: 一种半导体装置，可适当实现半导体元件之间的分离并可实现半导体装置的小型化。该半导体装置包括：半导体基板(1)、在半导体基板(1)上形成的外延层(2)、在半导体基板(1)与外延层(2)之间形成的埋入层(3)、从外延层(2)表面到达埋入层(3)的第一沟槽(7)、埋入于第一沟槽(7)内并与埋入层(3)连接的漏极取出电极(8b)、将漏极取出电极(8b)作为电极的半导体元件、被设置为从外延层(2)表面包围该半导体元件的第二沟槽(5)，第二沟槽(5)内的至少侧壁由绝缘膜(6a)被覆。
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公开(公告)号：CN102473755A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201080033883.6
申请日：2010-07-30
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L31/04
CPC classification number: H01L31/022433 , H01L31/0201 , H01L31/02013 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/05 , H01L31/0504 , H01L31/0516 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池组件，其通过使在与表面侧的指形电极相对的背面侧存在指形电极，能够抑制太阳能电池的裂纹的发生。该太阳能电池组件具有通过配线材料相互连接的多个太阳能电池，太阳能电池具有：配置在受光面，并且与接头连接的多个表面侧指形电极(110)；和配置在背面，并且与接头连接的多个背面侧指形电极(120)，在表面侧指形电极(110)存在的位置的背面侧的相对的位置，配置有在比表面侧的指形电极(110)大的区域形成的背面侧的辅助电极部(120b)。
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公开(公告)号：CN101584048B
公开(公告)日：2011-11-09
申请号：CN200880000659.X
申请日：2008-09-26
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种防止栅极漏电流的发生，并降低栅极电容的沟槽栅型晶体管。其在N-型半导体层(12)上形成沟槽(14)。在沟槽(14)中，在N-型半导体层(12)中成为晶体管的活性化区域的区域形成薄的硅氧化膜(15B)。另一方面，在不成为活性化区域的区域形成比硅氧化膜(15B)厚的硅氧化膜(15A)。并且，形成从沟槽(14)内向外延伸的伸出部(16S)与硅氧化膜(15A)相接的栅电极(16)。由此，在栅电极(16)的伸出部(16S)中，由于可将栅电极(16)与N-型半导体层(12)的角部(12C)的距离确保为较长，所以，不仅可防止栅极漏电流的产生，而且可降低栅极电容。
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公开(公告)号：CN101118905A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200710126305.7
申请日：2007-06-29
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 一种半导体装置，具备：半导体基板(5)；埋设于半导体基板(5)中的多个栅电极(11a～11c)；在多个栅电极(11a～11c)的每个之上设置的第一绝缘层(12a～12c)；在半导体基板(5)的表面形成的导电层(13)；和设置于导电层(13)上的导体层(15)。由此，可提供一种能够降低栅电极之间尺寸的半导体装置。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101847671A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010171189.2
申请日：2010-03-23
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 田部智规
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/188 , H01L31/0512 , Y02E10/50 , Y10S136/29
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池模块的制造方法。其包括：在太阳能电池的电极上依次重叠导电性粘接薄膜和配线部件并以第一条件进行压接，将配线部件临时固定在太阳能电池上的工序；检查临时固定的太阳能电池有无不合格品的检查工序；去除在检查工序中判定为不合格的太阳能电池、更换为合格品的太阳能电池，通过将导电性粘接薄膜夹在中间并以第一条件进行压接从而将配线部件临时固定在合格品的太阳能电池上的工序；和对临时固定有配线部件且排列好的太阳能电池，以比第一条件更高温度的第二条件使导电性粘接薄膜热固化，将太阳能电池与配线部件固定的工序。
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公开(公告)号：CN101584048A
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200880000659.X
申请日：2008-09-26
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/739
Abstract: 本发明提供一种防止栅极漏电流的发生，并降低栅极电容的沟槽栅型晶体管。其在N－型半导体层(12)上形成沟槽(14)。在沟槽(14)中，在N－型半导体层(12)中成为晶体管的活性化区域的区域形成薄的硅氧化膜(15B)。另一方面，在不成为活性化区域的区域形成比硅氧化膜(15B)厚的硅氧化膜(15A)。并且，形成从沟槽(14)内向外延伸的伸出部(16S)与硅氧化膜(15A)相接的栅电极(16)。由此，在栅电极(16)的伸出部(16S)中，由于可将栅电极(16)与N－型半导体层(12)的角部(12C)的距离确保为较长，所以，不仅可防止栅极漏电流的产生，而且可降低栅极电容。
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公开(公告)号：CN100530651C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200710136798.2
申请日：2007-07-27
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L27/04 , H01L29/78 , H01L29/417
CPC classification number: H01L21/761 , H01L21/763 , H01L27/088 , H01L29/1087 , H01L29/41741 , H01L29/41766 , H01L29/66734 , H01L29/7809 , H01L29/7813
Abstract: 一种半导体装置，可适当实现半导体元件之间的分离并可实现半导体装置的小型化。该半导体装置包括：半导体基板(1)、在半导体基板(1)上形成的外延层(2)、在半导体基板(1)与外延层(2)之间形成的埋入层(3)、从外延层(2)表面到达埋入层(3)的第一沟槽(7)、埋入于第一沟槽(7)内并与埋入层(3)连接的漏极取出电极(8b)、将漏极取出电极(8b)作为电极的半导体元件、被设置为从外延层(2)表面包围该半导体元件的第二沟槽(5)，第二沟槽(5)内的至少侧壁由绝缘膜(6a)被覆。
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公开(公告)号：CN101847671B
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：CN201010171189.2
申请日：2010-03-23
Applicant: 三洋电机株式会社
Inventor： 田部智规
IPC: H01L31/18
CPC classification number: H01L31/188 , H01L31/0512 , Y02E10/50 , Y10S136/29
Abstract: 本发明提供一种太阳能电池模块的制造方法。其包括：在太阳能电池的电极上依次重叠导电性粘接薄膜和配线部件并以第一条件进行压接，将配线部件临时固定在太阳能电池上的工序；检查临时固定的太阳能电池有无不合格品的检查工序；去除在检查工序中判定为不合格的太阳能电池、更换为合格品的太阳能电池，通过将导电性粘接薄膜夹在中间并以第一条件进行压接从而将配线部件临时固定在合格品的太阳能电池上的工序；和对临时固定有配线部件且排列好的太阳能电池，以比第一条件更高温度的第二条件使导电性粘接薄膜热固化，将太阳能电池与配线部件固定的工序。
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公开(公告)号：CN101542741B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200880000648.1
申请日：2008-09-26
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/739
CPC classification number: H01L29/7813 , H01L29/0653 , H01L29/0696 , H01L29/41741 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/4238 , H01L29/66734 , H01L29/7809
Abstract: 本发明用于在沟槽栅型晶体管中实现栅极电容的降低、结晶缺陷发生的抑制及栅极耐压的提高。在N-型半导体层(12)上形成沟槽(14)。在沟槽(14)的底部及其附近，形成在角部(12A、12B)处带有圆度且厚度均匀的硅氧化膜(15A)。另外，在沟槽(14)的侧壁的上方，形成比硅氧化膜(15A)薄、在角部(12C、12D)处带有圆度的硅氧化膜(15B)。并且，形成从沟槽(14)内向外侧延伸的栅电极(18)。基于厚的硅氧化膜(15A)可降低栅极电容，基于其上方薄的硅氧化膜(15B)可确保优良的晶体管特性。另外，基于角部(12A、12B)的圆度，不易发生结晶缺陷，并且使栅极电场分散，提高栅极耐压。
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