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公开(公告)号：CN1614779A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN200410089762.X
申请日：2004-11-05
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/0266
Abstract: 一种可充分保护被保护设备不被静电破坏并防止保护晶体管自身被破坏的静电破坏保护装置。作为保护晶体管的N沟道型第一MOS晶体管(TrA)以及第二MOS晶体管(TrB)在输出端子(100)和接地电位Vss之间串联地与输出端子(100)连接。作为保护晶体管的P沟道型第三MOS晶体管(TrC)以及第四MOS晶体管(TrD)在高电源电位HVdd和输出端子(100)之间串联地与输出端子(100)连接。上述第一、第二、第三、第四MOS晶体管(TrA、TrB、TrC、TrD)由低耐压的MOS晶体管构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100353280C
公开(公告)日：2007-12-05
申请号：CN200510083667.3
申请日：2005-07-12
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H03K3/0231 , H03K2005/00084
Abstract: 本发明提供一种频率修正电路，其即使由于外部干扰而使快速切换电路的频率修正数据变化，也可以稳定维持振荡频率。频率修正电路包括：复位信号产生电路(24)；根据锁存时钟ZCLK，锁存保存第一快速切换电路(21)和第二快速切换电路(22)分别产生的频率修正数据ZP1、ZP2的频率修正数据锁存电路(25)；产生锁存时钟ZCLK的锁存时钟产生电路(26)。复位信号产生电路(24)生成：同步于接口电路(27)所产生的启动信号EN的上升沿的周期性复位信号ZRES。锁存时钟产生电路(26)生成：同步于启动信号EN的下降沿的锁存时钟ZCLK。
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公开(公告)号：CN100517689C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200410089762.X
申请日：2004-11-05
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H01L27/0266
Abstract: 一种可充分保护被保护设备不被静电破坏并防止保护晶体管自身被破坏的静电破坏保护装置。作为保护晶体管的N沟道型第一MOS晶体管(TrA)以及第二MOS晶体管(TrB)在输出端子(100)和接地电位Vss之间串联地与输出端子(100)连接。作为保护晶体管的P沟道型第三MOS晶体管(TrC)以及第四MOS晶体管(TrD)在高电源电位HVdd和输出端子(100)之间串联地与输出端子(100)连接。上述第一、第二、第三、第四MOS晶体管(TrA、TrB、TrC、TrD)由低耐压的MOS晶体管构成。
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公开(公告)号：CN100435240C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200410069623.0
申请日：2004-07-15
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G11C11/40
CPC classification number: H01L27/0921 , H01L27/0928
Abstract: 提供一种三重阱构造的CMOS半导体器件，通过防止寄生可控硅的导通来防止发生锁定，可缩小布线面积。该半导体器件包括：P型硅衬底(20)、在P型硅衬底(20)的表面上互相间隔形成的N型的深阱(13)和N型的深阱(14)、在N型的深阱(13)上形成的P型阱(11)、在N型的深阱(14)内形成的N型的浅阱(12)、在P型阱(11)的表面上形成的N沟道型MOS晶体管(Mn)、以及在N型的浅阱(12)的表面上形成的P沟道型MOS晶体管(Mp)。
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公开(公告)号：CN1734390A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200510083667.3
申请日：2005-07-12
Applicant: 三洋电机株式会社
CPC classification number: H03K3/0231 , H03K2005/00084
Abstract: 本发明提供一种频率修正电路，其即使由于外部干扰而使迅速移动功能电路的频率修正数据变化，也可以稳定维持振荡频率。频率修正电路包括：复位信号产生电路(24)；根据锁存时钟ZCLK，锁存保持第一迅速移动功能电路(21)和第二迅速移动功能电路(22)分别产生的频率修正数据ZP1、ZP2的频率修正数据锁存电路(25)；产生锁存时钟ZCLK的锁存时钟产生电路(26)。复位信号产生电路(24)生成：同步于接口电路(27)所产生的启动信号EN的上升沿的周期性复位信号ZRES。锁存时钟产生电路(26)生成：同步于启动信号EN的下降沿的锁存时钟ZCLK。
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公开(公告)号：CN1581354A
公开(公告)日：2005-02-16
申请号：CN200410069623.0
申请日：2004-07-15
Applicant: 三洋电机株式会社
IPC: G11C11/40
CPC classification number: H01L27/0921 , H01L27/0928
Abstract: 提供一种三重阱构造的CMOS半导体器件，通过防止寄生可控硅的导通来防止发生锁定，可缩小布线面积。该半导体器件包括：P型硅衬底(20)、在P型硅衬底(20)的表面上互相间隔形成的N型的深阱(13)和N型的深阱(14)、在N型的深阱(13)上形成的P型阱(11)、在N型的深阱(14)内形成的N型的浅阱(12)、在P型阱(11)的表面上形成的N沟道型MOS晶体管(Mn)、以及在N型的浅阱(12)的表面上形成的P沟道型MOS晶体管(Mp)。
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